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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
327761CR250DPSCR Do Controle Da Fase 250 Ampères De Avg 200-400 VoltsPowerex Power Semiconductors
327762CR250DP-4SCR Do Controle Da Fase 250 Ampères De Avg 200-400 VoltsPowerex Power Semiconductors
327763CR250DP-6SCR Do Controle Da Fase 250 Ampères De Avg 200-400 VoltsPowerex Power Semiconductors
327764CR250DP-8SCR Do Controle Da Fase 250 Ampères De Avg 200-400 VoltsPowerex Power Semiconductors
327765CR2600SAA escala do CR dos protetores é baseada na tecnologia provada do produto do tiristor T10Littelfuse
327766CR2600SBA escala do CR dos protetores é baseada na tecnologia provada do produto do tiristor T10Littelfuse
327767CR2600SCA escala do CR dos protetores é baseada na tecnologia provada do produto do tiristor T10Littelfuse
327768CR270Diodo Do Regulador AtualVishay
327769CR2702AAVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327770CR2702ABVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327771CR2702ACVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327772CR2703AAVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327773CR2703ABVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327774CR2703ACVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327775CR2AMTIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
327776CR2AM-8ATIPO DE VIDRO DO PASSIVATION DO USO BAIXO DO PODERMitsubishi Electric Corporation
327777CR2F-010O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327778CR2F-020O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor



327779CR2F-040O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327780CR2F-060O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327781CR2F-100O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327782CR3-005Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327783CR3-005GPPRETIFICADOR DE SILICONE PASSIVATED VIDRO 3.0 AMPÈRE DA FINALIDADE GERAL DA JUNÇÃO 50 1000VOLTS DIRETOCentral Semiconductor
327784CR3-010Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327785CR3-010GPPFinalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327786CR3-020Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327787CR3-020GPPFinalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327788CR3-040Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327789CR3-040GPPFinalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327790CR3-060Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327791CR3-060GPPFinalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327792CR3-080Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327793CR3-080GPPRETIFICADOR DE SILICONE PASSIVATED VIDRO 3.0 AMPÈRE DA FINALIDADE GERAL DA JUNÇÃO 50 1000VOLTS DIRETOCentral Semiconductor
327794CR3-100Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327795CR3-100GPPFinalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327796CR3-120Finalidade Geral Do Retificador LeadedCentral Semiconductor
327797CR300Diodos Do Regulador AtualVishay
327798CR3002AAVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327799CR3002ABVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
327800CR3002ACVidro bidirecional junção passivatedLittelfuse
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