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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
327961CR6AF10GPPRETIFICADOR DE SILICONE PASSIVATED VIDRO 6.0 AMPÈRE DA RECUPERAÇÃO DA JUNÇÃO RAPIDAMENTE 100 A 1000 VOLTSCentral Semiconductor
327962CR6AF1GPPRETIFICADOR DE SILICONE PASSIVATED VIDRO 6.0 AMPÈRE DA RECUPERAÇÃO DA JUNÇÃO RAPIDAMENTE 100 A 1000 VOLTSCentral Semiconductor
327963CR6AF2O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327964CR6AF2GPPO Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327965CR6AF4O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327966CR6AF4GPPO Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327967CR6AF6O Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327968CR6AF6GPPO Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327969CR6AF8GPPO Retificador Leaded Fast RecuperaçãoCentral Semiconductor
327970CR6CMTIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
327971CR6CMConduz-monte, Phase Os Volts Amperes/400-600 do SCR 6 Do ControlePowerex Power Semiconductors
327972CR6CM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327973CR6CM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327974CR6CM400-12Conduz-monte, Phase Os Volts Amperes/400-600 do SCR 6 Do ControlePowerex Power Semiconductors
327975CR6CM400-8Conduz-monte, Phase Os Volts Amperes/400-600 do SCR 6 Do ControlePowerex Power Semiconductors
327976CR6CM600-12Conduz-monte, Phase Os Volts Amperes/400-600 do SCR 6 Do ControlePowerex Power Semiconductors
327977CR6CM600-8Conduz-monte, Phase Os Volts Amperes/400-600 do SCR 6 Do ControlePowerex Power Semiconductors
327978CR6PMTIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TIRISTOR) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation



327979CR6PMTIPO ISOLADO DO PODER USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
327980CR6PM-12Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327981CR6PM-8Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327982CR70U-010Retificador Leaded Ultra RapidamenteCentral Semiconductor
327983CR70U-020Retificador Leaded Ultra RapidamenteCentral Semiconductor
327984CR70U-040Retificador Leaded Ultra RapidamenteCentral Semiconductor
327985CR70U-060Retificador Leaded Ultra RapidamenteCentral Semiconductor
327986CR70U-080Retificador Leaded Ultra RapidamenteCentral Semiconductor
327987CR7929Amplificador video triplo do híbrido do excitadorPhilips
327988CR7C-20DB-4DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327989CR7C-20DB-4Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327990CR7C-28DB-4DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327991CR7C-28DB-4Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327992CR7C-36DB-4DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327993CR7C-36DB-4Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327994CR7C-44DB-4DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327995CR7C-44DB-4Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327996CR7C-56DB-4DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327997CR7C-56DB-4Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327998CR7E-12DB-3.96DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
327999CR7E-12DB-3.96Econector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
328000CR7E-20DB-3.96DSconector de borda do cartão do passo de 3.96mm e de 4mmHirose Electric
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