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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
345611SS391Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa TensãoTOSHIBA
345621SS392Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345631SS393Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345641SS394Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345651SS395Tipo Epitaxial Aplicação De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345661SS396Tipo Epitaxial Switching De alta velocidade Da Barreira De Schottky Do Silicone Do Diodo Da Baixa TensãoTOSHIBA
345671SS397Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do SwitchingTOSHIBA
345681SS398Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do SwitchingTOSHIBA
345691SS399Alta tensão Planar Epitaxial Do Diodo Do Silicone Do Diodo, Aplicações De alta velocidade Do SwitchingTOSHIBA
345701SS400Diodos > diodos do switching > tipo da montagem de superfícieROHM
345711SS400Diodo do switchingLeshan Radio Company
345721SS400T1Alta velocidade de comutação de diodoON Semiconductor
345731SS401Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345741SS402Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345751SS403Tipo Epitaxial Aplicações De alta tensão Da Barreira De Schottoky Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345761SS404Tipo Epitaxial Aplicações De alta velocidade De Shottlky Barrire Do Silicone Do Diodo Do SwitchingTOSHIBA
345771SS81Sinal PequenoHitachi Semiconductor
345781SS81Diodes>SwitchingRenesas



345791SS82Sinal PequenoHitachi Semiconductor
345801SS82Diodes>SwitchingRenesas
345811SS83Sinal PequenoHitachi Semiconductor
345821SS83Diodes>SwitchingRenesas
345831SS86Diodos de barreira de Schottky para a deteção e o misturadorHitachi Semiconductor
345841SS86Diodes>SwitchingRenesas
345851SS88Diodos de barreira de Schottky para a deteção e o misturadorHitachi Semiconductor
345861SS88Diodes>SwitchingRenesas
345871SS92(1SS93/1SS94) Diodos Ultra-High Planar Epitaxial Do Switching Da Velocidade Do SiliconeROHM
345881SV100TIPO PLANAR EPITAXIAL DIODO VARIÁVEL DO SILICONE DA CAPACIDADETOSHIBA
345891SV100itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
345901SV101TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES DO SILICONE VARIÁVEL DO DIODO DA CAPACIDADE DO TUNER DE FMTOSHIBA
345911SV101itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
345921SV102TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES AJUSTANDO DO SILICONE VARIÁVEL DO DIODO DA CAPACIDADE DA FAIXA DE RÁDIO DO AMTOSHIBA
345931SV102itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
345941SV103TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES AJUSTANDO DO SILICONE VARIÁVEL DO DIODO DA CAPACIDADE DA FAIXA DE RÁDIO DE FMTOSHIBA
345951SV103itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
345961SV123DIODO VARIÁVEL DA CAPACIDADETOSHIBA
345971SV123itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
345981SV128APLICAÇÕES DO ATENUADOR DO RF DA FAIXA DO DIODO VHF~UHFTOSHIBA
345991SV147TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES AJUSTANDO DO SILICONE VARIÁVEL DO DIODO DA CAPACIDADE DA FAIXA DE RÁDIO DE FMTOSHIBA
346001SV147itaxial de silício tipo planar capacitância variável diodo.Panasonic
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