| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 37361 | 2N5376 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37362 | 2N5377 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37363 | 2N5381 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37364 | 2N5383 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37365 | 2N5397 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 37366 | 2N5397 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 37367 | 2N5398 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 37368 | 2N5398 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 37369 | 2N5400 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37370 | 2N5400 | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 37371 | 2N5400 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 37372 | 2N5400 | TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 37373 | 2N5400 | SILICONE DO TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 37374 | 2N5400 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37375 | 2N5400 | Silicone De Transistor(PNP Do Amplificador) | ON Semiconductor |
| 37376 | 2N5400 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 37377 | 2N5400 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de PNP para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 37378 | 2N5400RA | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37379 | 2N5400S | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 37380 | 2N5400_D26Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37381 | 2N5400_D27Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37382 | 2N5400_D75Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37383 | 2N5400_D81Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37384 | 2N5401 | Transistor de alta tensão de PNP | Philips |
| 37385 | 2N5401 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
| 37386 | 2N5401 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37387 | 2N5401 | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 37388 | 2N5401 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 37389 | 2N5401 | TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 37390 | 2N5401 | Transistor do silicone de PNP (aplicação de alta tensão do amplificador da finalidade geral) | AUK Corp |
| 37391 | 2N5401 | SILICONE DO TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 37392 | 2N5401 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 37393 | 2N5401 | Amplificador Pequeno PNP Do Sinal | ON Semiconductor |
| 37394 | 2N5401 | Amplificador Pequeno PNP Do Sinal | ON Semiconductor |
| 37395 | 2N5401 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 37396 | 2N5401 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de PNP para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 37397 | 2N5401-D | Silicone Dos Transistor PNP Do Amplificador | ON Semiconductor |
| 37398 | 2N5401BU | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 37399 | 2N5401C | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 37400 | 2N5401CTA | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
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