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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
418641FMB3906_NLAmplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de PNPFairchild Semiconductor
418642FMB3946Amplificador Da Finalidade Geral de NPN & de PNPFairchild Semiconductor
418643FMB5551Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418644FMB5551_NLAmplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418645FMB857B256Mb F-morrem A Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
418646FMB857B256Mb F-morrem A Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
418647FMB857B256Mb F-morrem A Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
418648FMBA06Amplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de NPNFairchild Semiconductor
418649FMBA0656Pacote De superfície Da Montagem De SuperSOT- 6 Duplos Complementares Do Transistor de NPN & de PNPFairchild Semiconductor
418650FMBA14Transistor De Darlington Da Multi-Microplaqueta de NPNFairchild Semiconductor
418651FMBA56Amplificador Da Finalidade Geral Da Multi-Microplaqueta de PNPFairchild Semiconductor
418652FMBB4148200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL do mWetc
418653FMBB4148200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL do mWetc
418654FMBB4148200 DIODOS PLANAR EPITAXIAL do mWetc
418655FMBL1G200US60IGBTFairchild Semiconductor
418656FMBL1G300US60IGBTFairchild Semiconductor
418657FMBM5401Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418658FMBM5401_SB74001Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418659FMBM5551Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor



418660FMBM5551_SB16001Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418661FMBS2383NPN Silicon Transistor epitaxialFairchild Semiconductor
418662FMBS5401Amplificador Da Finalidade Geral de PNPFairchild Semiconductor
418663FMBS549Transistor Baixo Do Saturation de PNPFairchild Semiconductor
418664FMBS5551Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418665FMBSA06Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
418666FMBSA56Amplificador Da Finalidade Geral de PNPFairchild Semiconductor
418667FMBT3904TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE NPNFormosa MS
418668FMBT3906TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE PNPFormosa MS
418669FMC-26UDiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (600 a 1000V)Sanken
418670FMC-26UADiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (1200V e excesso)Sanken
418671FMC-28UDiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (600 a 1000V)Sanken
418672FMC-28UADiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (1200V e excesso)Sanken
418673FMC-G28SDiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (600 a 1000V)Sanken
418674FMC-G28SLDiodos de retificador da Ultra-Rápido-Recuperação (600 a 1000V)Sanken
418675FMC1819C6-02Módulos Do GaAs Do Poder Da K-FaixaFujitsu Microelectronics
418676FMC1819LN-02Módulos Do GaAs Do Poder Da K-FaixaFujitsu Microelectronics
418677FMC1819P1-01Módulos Do GaAs Do Poder Da K-FaixaFujitsu Microelectronics
418678FMC2Planar Epitaxial Dual Mini-Moldam O Transistor Do Silicone de PNP/NPNROHM
418679FMC2Planar Epitaxial Dual Mini-Moldam O Transistor Do Silicone de PNP/NPNROHM
418680FMC2122C6-03Módulos Do GaAs Do Poder Do K-Tipo De KuFujitsu Microelectronics
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