| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 42881 | 28LV256PC-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
| 42882 | 28LV256PC-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42883 | 28LV256PC-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
| 42884 | 28LV256PC-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42885 | 28LV256PC-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
| 42886 | 28LV256PI-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42887 | 28LV256PI-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
| 42888 | 28LV256PI-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42889 | 28LV256PI-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
| 42890 | 28LV256PI-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42891 | 28LV256PI-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
| 42892 | 28LV256PI-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42893 | 28LV256PI-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
| 42894 | 28LV256PM-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42895 | 28LV256PM-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
| 42896 | 28LV256PM-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42897 | 28LV256PM-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
| 42898 | 28LV256PM-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42899 | 28LV256PM-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
| 42900 | 28LV256PM-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42901 | 28LV256PM-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
| 42902 | 28LV256SC-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42903 | 28LV256SC-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
| 42904 | 28LV256SC-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42905 | 28LV256SC-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
| 42906 | 28LV256SC-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42907 | 28LV256SC-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
| 42908 | 28LV256SC-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42909 | 28LV256SC-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
| 42910 | 28LV256SI-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42911 | 28LV256SI-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
| 42912 | 28LV256SI-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42913 | 28LV256SI-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
| 42914 | 28LV256SI-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42915 | 28LV256SI-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
| 42916 | 28LV256SI-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42917 | 28LV256SI-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
| 42918 | 28LV256SM-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| 42919 | 28LV256SM-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
| 42920 | 28LV256SM-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
| | | |
