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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
4292128LV256SM-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4292228LV256SM-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292328LV256SM-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC
4292428LV256SM-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292528LV256SM-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
4292628LV256TC-3Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292728LV256TC-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4292828LV256TC-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4292928LV256TC-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4293028LV256TC-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293128LV256TC-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC
4293228LV256TC-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293328LV256TC-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
4293428LV256TI-3Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293528LV256TI-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4293628LV256TI-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4293728LV256TI-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4293828LV256TI-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC



4293928LV256TI-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC
4294028LV256TI-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294128LV256TI-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
4294228LV256TM-3Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294328LV256TM-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4294428LV256TM-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294528LV256TM-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4294628LV256TM-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294728LV256TM-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC
4294828LV256TM-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4294928LV256TM-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
4295028LV6464K-BIT CMOS EEPROM PARALELOCatalyst Semiconductor
4295128LV64AO produto de Note:This tornou-se ' obsolete ' e é não mais longo oferecido porque um dispositivo viable para design.28LV64A é 64K um bocado CMOS EEPROM paralelo organizado como as palavras 8K por 8 bocados. O 28LV64A é alcançado comMicrochip
4295228LV64A-20/L64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295328LV64A-20/P64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295428LV64A-20/SO64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295528LV64A-20/TS64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295628LV64A-20/VS64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295728LV64A-20I/L64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295828LV64A-20I/P64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4295928LV64A-20I/SO64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
4296028LV64A-20I/TS64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8)Microchip
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