| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 433481 | G7SA-3A3B | Relés com contatos forçosamente guiados | Omron |
| 433482 | G7SA-4A2B | Relés com contatos forçosamente guiados | Omron |
| 433483 | G7SA-5A1B | Relés com contatos forçosamente guiados | Omron |
| 433484 | G8194 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433485 | G8194-21 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433486 | G8194-22 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433487 | G8194-23 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433488 | G8194-32 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433489 | G8194-44 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433490 | G8195 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433491 | G8195-11 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433492 | G8195-12 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433493 | G8195-21 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433494 | G8195-22 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433495 | G8195-31 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433496 | G8195-32 | Faixa de resposta espectral: 0.9-1.7um; tensão reversa: 20V; InGaAs PIN fotodiodo: tipo de recipiente 1,3 / 1.55um, 2GHz. Para comunicações de fibra óptica, canal de fibra gigabit, Enthernet, SDH, WDM | Hamamatsu Corporation |
| 433497 | G8198 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433498 | G8198-01 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433499 | G8198-02 | PINO fotodiodo de InGaAs | Hamamatsu Corporation |
| 433500 | G8211-11 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433501 | G8211-12 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433502 | G8211-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433503 | G8211-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433504 | G8211-31 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433505 | G8211-32 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433506 | G8338 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433507 | G8338-02 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433508 | G8339 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433509 | G8339-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433510 | G8339-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433511 | G8339-23 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433512 | G8339-32 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433513 | G8339-44 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433514 | G8340 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433515 | G8340-11 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433516 | G8340-12 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433517 | G8340-21 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433518 | G8340-22 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433519 | G8340-31 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
| 433520 | G8340-32 | PINO fotodiodo de InGaAs com preamp | Hamamatsu Corporation |
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