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| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 435641 | GA75TS60U | Metade-Ponte IGBT de 600V UltraFast 10-30 quilohertz em um pacote Interno-Um-Pak | International Rectifier |
| 435642 | GAE100AA120 | Módulo IGBT 1200V | SanRex |
| 435643 | GAE100BA60 | Módulo 600V IGBT | SanRex |
| 435644 | GAE150AA120 | Módulo IGBT 1200V | SanRex |
| 435645 | GAE150BA60 | Módulo 600V IGBT | SanRex |
| 435646 | GAE200AA120 | Módulo IGBT 1200V | SanRex |
| 435647 | GAE200BA60 | Módulo 600V IGBT | SanRex |
| 435648 | GAE300BA60 | Módulo 600V IGBT | SanRex |
| 435649 | GAE75AA120 | Módulo IGBT 1200V | SanRex |
| 435650 | GAGE SERIES | Calibres® De Tensão Da Transdutor-Classe | Vishay |
| 435651 | GAGEKOTE #1 | Revestimento Protetor | Vishay |
| 435652 | GAGEKOTE #11 | Revestimento Protetor | Vishay |
| 435653 | GAGEKOTE #5 | Revestimento Protetor | Vishay |
| 435654 | GAGEKOTE #7 | Revestimento Protetor | Vishay |
| 435655 | GAGEKOTE #8 | Revestimento Protetor | Vishay |
| 435656 | GAL16LV8 | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435657 | GAL16LV8C-10LJ | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435658 | GAL16LV8C-15LJ | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435659 | GAL16LV8C-7LJ | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435660 | GAL16LV8D-3LJ | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435661 | GAL16LV8D-5LJ | Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435662 | GAL16LV8ZD | Baixa Tensão, Lógica Genérica Zero Da Disposição Do Poder E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435663 | GAL16V8 | Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435664 | GAL16V811111 | Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435665 | GAL16V8A | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435666 | GAL16V8A- 7LJ | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435667 | GAL16V8A- 7LJI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435668 | GAL16V8A- 7LP | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435669 | GAL16V8A- 7LPI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435670 | GAL16V8A- 7QJ | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435671 | GAL16V8A- 7QJI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435672 | GAL16V8A- 7QP | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435673 | GAL16V8A- 7QPI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435674 | GAL16V8A-10LJ | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435675 | GAL16V8A-10LJI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435676 | GAL16V8A-10LP | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435677 | GAL16V8A-10LPI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435678 | GAL16V8A-10QJ | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435679 | GAL16V8A-10QJI | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
| 435680 | GAL16V8A-10QP | DESEMPENHO ELEVADO E2CMOS PLD | Lattice Semiconductor |
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