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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
435921GAL22V10D-15LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435922GAL22V10D-15QJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435923GAL22V10D-20LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435924GAL22V10D-20LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435925GAL22V10D-25LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435926GAL22V10D-25LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435927GAL22V10D-25LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435928GAL22V10D-25LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435929GAL22V10D-25QJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435930GAL22V10D-25QPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435931GAL22V10D-4LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435932GAL22V10D-5LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435933GAL22V10D-7LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435934GAL22V10D-7LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435935GAL22V10D-7LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435936GAL22V10D-7LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435937GAL26CLV12Baixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435938GAL26CLV12D-5LJBaixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435939GAL26CLV12D-7LJBaixa Lógica Genérica Da Disposição Da Tensão E2CMOS PLDLattice Semiconductor



435940GAL26CV12Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435941GAL26CV12B-10LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435942GAL26CV12B-10LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435943GAL26CV12B-15LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435944GAL26CV12B-15LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435945GAL26CV12B-15LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435946GAL26CV12B-15LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435947GAL26CV12B-20LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435948GAL26CV12B-20LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435949GAL26CV12B-20LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435950GAL26CV12B-20LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435951GAL26CV12C-10LJILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435952GAL26CV12C-10LPILógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435953GAL26CV12C-7LJLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435954GAL26CV12C-7LPLógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS PLDLattice Semiconductor
435955GAL6001Lógica Genérica Elevada Da Disposição Do Desempenho E2CMOS FPLALattice Semiconductor
435956GAL6001-30LJC30 ns, 150 mA, 5 V, lógica matriz genéricaNational Semiconductor
435957GAL6001-30LJI30 ns, 150 mA, 5 V, lógica matriz genéricaNational Semiconductor
435958GAL6001-30LNC30 ns, 150 mA, 5 V, lógica matriz genéricaNational Semiconductor
435959GAL6001-30LNI30 ns, 150 mA, 5 V, lógica matriz genéricaNational Semiconductor
435960GAL6001-30LVC30 ns, 150 mA, 5 V, lógica matriz genéricaNational Semiconductor
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