Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
44161 | 2N1893 | 0.800W Uso Geral NPN metal pode transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
44162 | 2N1893 | Poder silício Médio NPN planar transistor. | General Electric Solid State |
44163 | 2N1893 | Chip: 7.0V; Surveyors 4500; Polaridade NPN | Semicoa Semiconductor |
44164 | 2N1893A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44165 | 2N1893S | Transistor de NPN | Microsemi |
44166 | 2N1893S | Chip: 7.0V; Surveyors 4500; Polaridade NPN | Semicoa Semiconductor |
44167 | 2N1893UB | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 4500 De 2C1893 | Semicoa Semiconductor |
44168 | 2N1909 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44169 | 2N1909 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44170 | 2N1909 | V (MRR / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44171 | 2N1910 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44172 | 2N1910 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44173 | 2N1910 | V (MRR / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44174 | 2N1911 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44175 | 2N1911 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44176 | 2N1911 | V (MRR / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44177 | 2N1912 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44178 | 2N1912 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44179 | 2N1912 | V (MRR / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44180 | 2N1913 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44181 | 2N1913 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44182 | 2N1913 | V (MRR / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44183 | 2N1914 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44184 | 2N1914 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44185 | 2N1914 | V (MRR / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44186 | 2N1915 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44187 | 2N1915 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44188 | 2N1915 | V (MRR / DRM): 300V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44189 | 2N1916 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44190 | 2N1916 | SCR 70 Amoeres Average(110 Rms Do Controle Da Fase) 600 Volts | Powerex Power Semiconductors |
44191 | 2N1916 | V (MRR / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44192 | 2N1973 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44193 | 2N1974 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44194 | 2N1975 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44195 | 2N1983 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44196 | 2N1984 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44197 | 2N1985 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44198 | 2N1986 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44199 | 2N1987 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44200 | 2N1988 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
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