Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
44561 | 2N2484 | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
44562 | 2N2484 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44563 | 2N2484 | O DISPOSITIVO DE SEMICONDUTOR/TRANSISTOR/NPN/SILICONE/LOW-POWER DATILOGRAFA 2N2484/2N2484UA/2N2484UB/JANEIRO/JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/E JANKC | ST Microelectronics |
44564 | 2N2484 | 0.360W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 60V, 0.050A Ic, 250 hFE. | Continental Device India Limited |
44565 | 2N2484 | NPN baixo nível amplificador de baixo ruído. | Fairchild Semiconductor |
44566 | 2N2484 | Chip: 6.0V; Surveyors 0307; Polaridade NPN | Semicoa Semiconductor |
44567 | 2N2484 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
44568 | 2N2484ACSM | 60V Vce, Ic 0,05 NPN transistor bipolar | SemeLAB |
44569 | 2N2484CSM | ALTA VELOCIDADE, PODER MÉDIO, TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
44570 | 2N2484HR | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44571 | 2N2484HRG | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44572 | 2N2484HRT | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44573 | 2N2484UA | O DISPOSITIVO DE SEMICONDUTOR/TRANSISTOR/NPN/SILICONE/LOW-POWER DATILOGRAFA 2N2484/2N2484UA/2N2484UB/JANEIRO/JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/E JANKC | ST Microelectronics |
44574 | 2N2484UB | O DISPOSITIVO DE SEMICONDUTOR/TRANSISTOR/NPN/SILICONE/LOW-POWER DATILOGRAFA 2N2484/2N2484UA/2N2484UB/JANEIRO/JANTX/JANTXV/JANS/JANHC/E JANKC | ST Microelectronics |
44575 | 2N2484UB1 | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44576 | 2N2484UBG | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44577 | 2N2484UBT | Oi-Rel NPN transistor bipolar de 60 V, 0,05 A | ST Microelectronics |
44578 | 2N2501 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44579 | 2N2509 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44580 | 2N2510 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44581 | 2N2511 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44582 | 2N2528 | Transistor De Poder Do Germânio | GPD Optoelectronic Devices |
44583 | 2N2530N3 | 300V realce N-canal - Modo DMOS FET verticais | Supertex Inc |
44584 | 2N2530N8 | 300V realce N-canal - Modo DMOS FET verticais | Supertex Inc |
44585 | 2N2535N3 | 350V N-canal de esgotamento - Modo DMOS verticais FET | Supertex Inc |
44586 | 2N2535N5 | 350V N-canal de esgotamento - Modo DMOS verticais FET | Supertex Inc |
44587 | 2N2539 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44588 | 2N2540 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44589 | 2N2540N3 | 400V N-canal de esgotamento - Modo DMOS verticais FET | Supertex Inc |
44590 | 2N2540N5 | 400V N-canal de esgotamento - Modo DMOS verticais FET | Supertex Inc |
44591 | 2N2540N8 | 350V N-canal de esgotamento - Modo DMOS verticais FET | Supertex Inc |
44592 | 2N2574 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE | Motorola |
44593 | 2N2575 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE | Motorola |
44594 | 2N2576 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE | Motorola |
44595 | 2N2578 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE | Motorola |
44596 | 2N2586 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44597 | 2N2586 | NPN baixo nível do tipo de baixo ruído. | Fairchild Semiconductor |
44598 | 2N2594 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44599 | 2N2599 | Amplificadores Do Nível Baixo | Semicoa Semiconductor |
44600 | 2N2604 | Transistor de PNP | Microsemi |
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