| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 45281 | 2N3486 | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2907A | Semicoa Semiconductor |
| 45282 | 2N3486A | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45283 | 2N3486A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45284 | 2N3486A | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2907A | Semicoa Semiconductor |
| 45285 | 2N3494 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45286 | 2N3495 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45287 | 2N3496 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45288 | 2N3496 | 0.400W Uso Geral PNP metal pode transistor. 80V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45289 | 2N3497 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45290 | 2N3497 | Datilografe 2N3498 A Polaridade NPN Da Geometria 5620 | Semicoa Semiconductor |
| 45291 | 2N3497 | 0.400W Uso Geral PNP metal pode transistor. 120V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45292 | 2N3498 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45293 | 2N3498 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45294 | 2N3498 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45295 | 2N3498 | 1.000W RF NPN metal pode transistor. 100V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45296 | 2N3498L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45297 | 2N3498L | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45298 | 2N3499 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45299 | 2N3499 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45300 | 2N3499 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45301 | 2N3499 | 1.000W RF NPN metal pode transistor. 100V VCEO, 0.500A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45302 | 2N3499L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45303 | 2N3499L | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45304 | 2N3500 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45305 | 2N3500 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 45306 | 2N3500 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45307 | 2N3500 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45308 | 2N3500 | 1.000W RF NPN metal pode transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45309 | 2N3500L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45310 | 2N3500L | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45311 | 2N3501 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45312 | 2N3501 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45313 | 2N3501 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 45314 | 2N3501 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 45315 | 2N3501 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45316 | 2N3501 | 1.000W RF NPN metal pode transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45317 | 2N3501CSM4 | ALTA TENSÃO, PODER MÉDIO, TRANSISTOR De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 45318 | 2N3501L | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45319 | 2N3501L | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 5620 De 2C3501 | Semicoa Semiconductor |
| 45320 | 2N3502 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE PNP | SemeLAB |
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