Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
45401 | 2N3654 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45402 | 2N3654 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45403 | 2N3655 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45404 | 2N3655 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45405 | 2N3656 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45406 | 2N3656 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45407 | 2N3657 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45408 | 2N3657 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45409 | 2N3658 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45410 | 2N3658 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 35-A | General Electric Solid State |
45411 | 2N3660 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45412 | 2N3661 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45413 | 2N3663 | Transistor de NPN Rf | Fairchild Semiconductor |
45414 | 2N3665 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45415 | 2N3665 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
45416 | 2N3666 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45417 | 2N3668 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
45418 | 2N3668 | RETIFICADORES CONTROLADOS DO SILICONE 12.5A | General Semiconductor |
45419 | 2N3668 | 12.5A silício retificador controlado. VRM (não-rep) 150V. | General Electric Solid State |
45420 | 2N3669 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
45421 | 2N3669 | 12.5A silício retificador controlado. VRM (não-rep) 330V. | General Electric Solid State |
45422 | 2N3670 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
45423 | 2N3670 | 12.5A silício retificador controlado. VRM (não-rep) 660V. | General Electric Solid State |
45424 | 2N3671 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45425 | 2N3672 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45426 | 2N3673 | Transistor Pequenos Do Sinal | Central Semiconductor |
45427 | 2N3673 | Transistor Pequenos Do Sinal | Central Semiconductor |
45428 | 2N3678 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45429 | 2N3684 | AMPLIFICADOR BAIXO Do RUÍDO Da CANALETA JFET De N | Calogic |
45430 | 2N3685 | AMPLIFICADOR BAIXO Do RUÍDO Da CANALETA JFET De N | Calogic |
45431 | 2N3686 | AMPLIFICADOR BAIXO Do RUÍDO Da CANALETA JFET De N | Calogic |
45432 | 2N3687 | AMPLIFICADOR BAIXO Do RUÍDO Da CANALETA JFET De N | Calogic |
45433 | 2N3700 | Transistor de NPN | Microsemi |
45434 | 2N3700 | Transistor de NPN | Microsemi |
45435 | 2N3700 | AMPLIFICADORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
45436 | 2N3700 | SILICONE GERAL DO TRANSISTOR NPN | Boca Semiconductor Corporation |
45437 | 2N3700 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
45438 | 2N3700 | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 4500 De 2C3019 | Semicoa Semiconductor |
45439 | 2N3700 | AMPLIFICADORES DA FINALIDADE GERAL | ST Microelectronics |
45440 | 2N3700 | 0.500W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 80V, 1.000A Ic, 100-300 hFE. | Continental Device India Limited |
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