| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 46241 | 2N4233A | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 46242 | 2N4233A | TRANSISTOR DE PODER: APLICAÇÃO DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL E DO SWITCHING DE LOW-FREQUENCY | MOSPEC Semiconductor |
| 46243 | 2N4234 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46244 | 2N4234 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46245 | 2N4234 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46246 | 2N4234 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46247 | 2N4234 | 6.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46248 | 2N4234 | 6 watts de potência PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46249 | 2N4235 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46250 | 2N4235 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46251 | 2N4235 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46252 | 2N4235 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46253 | 2N4235 | 6.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46254 | 2N4235 | 6 watts de potência PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46255 | 2N4236 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 46256 | 2N4236 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE PNP) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46257 | 2N4236 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46258 | 2N4236 | 6.000W Uso Geral PNP metal pode transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46259 | 2N4236 | 6 watts de potência PNP. | Fairchild Semiconductor |
| 46260 | 2N4237 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46261 | 2N4237 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46262 | 2N4237 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46263 | 2N4237 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46264 | 2N4237 | 1.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 40V, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46265 | 2N4237 | 5 watts de potência NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46266 | 2N4238 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46267 | 2N4238 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 46268 | 2N4238 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46269 | 2N4238 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46270 | 2N4238 | 6.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46271 | 2N4238 | 5 watts de potência NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46272 | 2N4239 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46273 | 2N4239 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 46274 | 2N4239 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 46275 | 2N4239 | 1.000W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 80V, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
| 46276 | 2N4239 | 5 watts de potência NPN. | Fairchild Semiconductor |
| 46277 | 2N4240 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46278 | 2N4240 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 46279 | 2N4240 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 46280 | 2N4240 | ALTA TENSÃO MÉDIA DO PODER DO TRANSISTOR DE NPN | SemeLAB |
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