| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 46841 | 2N5007 | 100 V, 10 A alta velocidade do transistor PNP | Solid State Devices Inc |
| 46842 | 2N5008 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 46843 | 2N5008 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE NPN 120 VOLTS | Solid State Devices Inc |
| 46844 | 2N5009 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE PNP | Philips |
| 46845 | 2N5009 | TRANSISTOR DE ALTA VELOCIDADE DE PNP | Philips |
| 46846 | 2N5009 | 100 V, 10 A alta velocidade do transistor PNP | Solid State Devices Inc |
| 46847 | 2N5010 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | SemeLAB |
| 46848 | 2N5010 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | SemeLAB |
| 46849 | 2N5011 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46850 | 2N5011 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46851 | 2N5012 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 46852 | 2N5013 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 46853 | 2N5013 | 800 V, 0,5 A alta tensão transistor NPN | Solid State Devices Inc |
| 46854 | 2N5014 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | SemeLAB |
| 46855 | 2N5014 | 900 V, 0,5 A alta tensão transistor NPN | Solid State Devices Inc |
| 46856 | 2N5015 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 46857 | 2N5015 | 1000 V, 0,5 A alta tensão transistor NPN | Solid State Devices Inc |
| 46858 | 2N5018 | P-Canaleta, Única, Interruptor de JFET | Linear Systems |
| 46859 | 2N5018 | P-canal interruptor JFET. | Intersil |
| 46860 | 2N5019 | P-Canaleta, Única, Interruptor de JFET | Linear Systems |
| 46861 | 2N5019 | P-canal interruptor JFET. | Intersil |
| 46862 | 2N5020 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da P-Canaleta | InterFET Corporation |
| 46863 | 2N5021 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da P-Canaleta | InterFET Corporation |
| 46864 | 2N5022 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Central Semiconductor |
| 46865 | 2N5023 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Central Semiconductor |
| 46866 | 2N5031 | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS DISCRETOS DO RF & DA MICROONDA | Microsemi |
| 46867 | 2N5038 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | ST Microelectronics |
| 46868 | 2N5038 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46869 | 2N5038 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46870 | 2N5038 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE DA CORRENTE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 46871 | 2N5038 | PODER TRANSISTORS(20A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46872 | 2N5038 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46873 | 2N5038 | Transistor Do Silicone de NPN | ON Semiconductor |
| 46874 | 2N5038 | Alta corrente, alta energia, alta velocidade do transistor de silício NPN planar. | General Electric Solid State |
| 46875 | 2N5038-D | Transistor Do Silicone de NPN | ON Semiconductor |
| 46876 | 2N5039 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 46877 | 2N5039 | PODER TRANSISTORS(20A, 140w) | MOSPEC Semiconductor |
| 46878 | 2N5039 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 46879 | 2N5039 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | ON Semiconductor |
| 46880 | 2N5039 | Alta corrente, alta energia, alta velocidade do transistor de silício NPN planar. | General Electric Solid State |
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