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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
471612N519240.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE.Continental Device India Limited
471622N5193Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
471632N5194Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
471642N5194Poder 4A 60V PNPON Semiconductor
471652N5194-DTransistor De Poder Do Silicone PNPON Semiconductor
471662N5195TRANSISTOR DO SILICONE DE PNPST Microelectronics
471672N5195TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE DO PODER PNPSGS Thomson Microelectronics
471682N5195Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
471692N5195Poder 4A 80V PNPON Semiconductor
471702N5196Finalidade Geral MonolíticaVishay
471712N5196Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral.Intersil
471722N5197Finalidade Geral MonolíticaVishay
471732N5197Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral.Intersil
471742N5198Finalidade Geral MonolíticaVishay
471752N5198Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral.Intersil
471762N5199Finalidade Geral MonolíticaVishay
471772N5199Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral.Intersil
471782N5202TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETORGeneral Electric Solid State
471792N5202TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETORGeneral Electric Solid State



471802N5204SCR do controle da fase de 600V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48)International Rectifier
471812N520425 e 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471822N5205SCR do controle da fase de 800V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48)International Rectifier
471832N520525 e 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471842N5206SCR do controle da fase de 1000V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48)International Rectifier
471852N520625 e 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471862N5207SCR do controle da fase de 1200V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48)International Rectifier
471872N520725 e 35 ampères RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471882N5208O CASO 29-04, denomina 2 A -92(TO-226AA)Motorola
471892N5209TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
471902N5209Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
471912N5209Silicone De Transistors(NPN Do Amplificador)ON Semiconductor
471922N5209-DSilicone Dos Transistor NPN Do AmplificadorON Semiconductor
471932N5209RLREAmplificador Transistor NPNON Semiconductor
471942N5210Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
471952N5210TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPNMicro Electronics
471962N5210Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
471972N5210Silicone De Transistors(NPN Do Amplificador)ON Semiconductor
471982N5210TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPNSamsung Electronic
471992N5210Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW.USHA India LTD
472002N5210BUAmplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
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