| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 47361 | 2N5368 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47362 | 2N5369 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47363 | 2N5369RLRA | Transistor Do Interruptor inversor de JFET | ON Semiconductor |
| 47364 | 2N5370 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47365 | 2N5371 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47366 | 2N5372 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47367 | 2N5373 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47368 | 2N5374 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47369 | 2N5374 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47370 | 2N5375 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47371 | 2N5375 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47372 | 2N5376 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47373 | 2N5377 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47374 | 2N5381 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47375 | 2N5383 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47376 | 2N5397 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 47377 | 2N5397 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 47378 | 2N5397 | JFET canal-N. Amplificador de alta freqüência. | Intersil |
| 47379 | 2N5398 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 47380 | 2N5398 | Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-Canaleta | InterFET Corporation |
| 47381 | 2N5398 | JFET canal-N. Amplificador de alta freqüência. | Intersil |
| 47382 | 2N5400 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47383 | 2N5400 | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 47384 | 2N5400 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 47385 | 2N5400 | TRANSISTOR DA ALTA TENSÃO DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE | Micro Electronics |
| 47386 | 2N5400 | SILICONE DO TRANSISTOR PNP DO AMPLIFICADOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 47387 | 2N5400 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47388 | 2N5400 | Silicone De Transistor(PNP Do Amplificador) | ON Semiconductor |
| 47389 | 2N5400 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Samsung Electronic |
| 47390 | 2N5400 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de PNP para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 47391 | 2N5400 | 0.500W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 120V VCEO, 0.600A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
| 47392 | 2N5400 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: VCEO = -120V. Tensão colector-base: VCBO = -130V. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47393 | 2N5400RA | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47394 | 2N5400RLRA | Amplificador Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 47395 | 2N5400RLRP | Amplificador Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 47396 | 2N5400S | Transistor De alta tensão | Korea Electronics (KEC) |
| 47397 | 2N5400_D26Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47398 | 2N5400_D27Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47399 | 2N5400_D75Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 47400 | 2N5400_D81Z | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
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