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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
477612N5582Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
477622N5582Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 0400 de 2C2222ASemicoa Semiconductor
477632N5597Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477642N5597Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477652N5599Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477662N5600Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477672N5601Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477682N5603Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66.SemeLAB
477692N5603Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66.SemeLAB
477702N5605Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
477712N5606Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3.SemeLAB
477722N5608Pacote hermetically selado bipolar do metal TO66 do dispositivo de NPNSemeLAB
477732N5608Pacote hermetically selado bipolar do metal TO66 do dispositivo de NPNSemeLAB
477742N5609Transistor Do Silicone PNPInchange Semiconductor
477752N5609Transistor Do Silicone PNPInchange Semiconductor
477762N5611Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal to66.SemeLAB
477772N5613Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
477782N5613Dispositivo Bipolar de PNPSemeLAB
477792N5617Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB



477802N5619Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal to3.SemeLAB
477812N5620Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477822N5620Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477832N5622Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477842N5623Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477852N5623Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477862N5629TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONECentral Semiconductor
477872N5629Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 100V, 200W.General Electric Solid State
477882N5630TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONECentral Semiconductor
477892N5630Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
477902N5630Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 120V, 200W.General Electric Solid State
477912N5630Coletor-emissor Tensão / base: 120Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutaçãoMotorola
477922N5631Transistor Do Elevado-Poder Da Elevado-TensãoON Semiconductor
477932N5631Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 140V, 200W.General Electric Solid State
477942N5631Coletor-emissor Tensão / base: 140Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutaçãoMotorola
477952N5631NPN transistor, 140V, 16ASemeLAB
477962N5631-DElevado-Tensão - Transistor De Poder ElevadoON Semiconductor
477972N5632Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
477982N5632Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
477992N5633Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
478002N5633TRANSISTOR DE PODER DO SILICONECentral Semiconductor
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