Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
47761 | 2N5582 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
47762 | 2N5582 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 0400 de 2C2222A | Semicoa Semiconductor |
47763 | 2N5597 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47764 | 2N5597 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47765 | 2N5599 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47766 | 2N5600 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47767 | 2N5601 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47768 | 2N5603 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66. | SemeLAB |
47769 | 2N5603 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66. | SemeLAB |
47770 | 2N5605 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
47771 | 2N5606 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
47772 | 2N5608 | Pacote hermetically selado bipolar do metal TO66 do dispositivo de NPN | SemeLAB |
47773 | 2N5608 | Pacote hermetically selado bipolar do metal TO66 do dispositivo de NPN | SemeLAB |
47774 | 2N5609 | Transistor Do Silicone PNP | Inchange Semiconductor |
47775 | 2N5609 | Transistor Do Silicone PNP | Inchange Semiconductor |
47776 | 2N5611 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal to66. | SemeLAB |
47777 | 2N5613 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
47778 | 2N5613 | Dispositivo Bipolar de PNP | SemeLAB |
47779 | 2N5617 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47780 | 2N5619 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal to3. | SemeLAB |
47781 | 2N5620 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47782 | 2N5620 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47783 | 2N5622 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47784 | 2N5623 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47785 | 2N5623 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47786 | 2N5629 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
47787 | 2N5629 | Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 100V, 200W. | General Electric Solid State |
47788 | 2N5630 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
47789 | 2N5630 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
47790 | 2N5630 | Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 120V, 200W. | General Electric Solid State |
47791 | 2N5630 | Coletor-emissor Tensão / base: 120Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutação | Motorola |
47792 | 2N5631 | Transistor Do Elevado-Poder Da Elevado-Tensão | ON Semiconductor |
47793 | 2N5631 | Silicon NPN epitaxial-base-alta potência transistor. 140V, 200W. | General Electric Solid State |
47794 | 2N5631 | Coletor-emissor Tensão / base: 140Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutação | Motorola |
47795 | 2N5631 | NPN transistor, 140V, 16A | SemeLAB |
47796 | 2N5631-D | Elevado-Tensão - Transistor De Poder Elevado | ON Semiconductor |
47797 | 2N5632 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
47798 | 2N5632 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47799 | 2N5633 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
47800 | 2N5633 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE | Central Semiconductor |
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