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Nr.	Nome da parte	Descrição	Fabricante
47961	2N5786	Silicon NPN transistor epitaxial-base. 45V, 10W.	General Electric Solid State
47962	2N5793	NPN Dual Transistor	Microsemi
47963	2N5793	TRANSISTOR DUPLO DO SILICONE DE NPN	Central Semiconductor
47964	2N5794	NPN Dual Transistor	Microsemi
47965	2N5794	Transistor Pequeno Leaded Do Sinal Duplo	Central Semiconductor
47966	2N5794U	NPN Dual Transistor	Microsemi
47967	2N5794U	Montagem de superfície dupla transistor NPN	Optek Technology
47968	2N5795	PNP Dual Transistor	Microsemi
47969	2N5796	PNP Dual Transistor	Microsemi
47970	2N5796	Transistor Pequeno Leaded Do Sinal Duplo	Central Semiconductor
47971	2N5796U	PNP Dual Transistor	Microsemi
47972	2N5796U	Montagem de superfície dupla transistor PNP	Optek Technology
47973	2N5810	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47974	2N5810	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47975	2N5811	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47976	2N5811	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47977	2N5812	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47978	2N5812	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47979	2N5813	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics

47980	2N5813	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47981	2N5814	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47982	2N5815	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47983	2N5816	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47984	2N5816	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47985	2N5817	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47986	2N5817	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47987	2N5818	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47988	2N5818	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47989	2N5819	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47990	2N5819	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47991	2N5820	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47992	2N5821	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47993	2N5822	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47994	2N5822	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47995	2N5823	TRANSISTOR DE PODER MÉDIO DO AF DO SILICONE	Micro Electronics
47996	2N5823	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
47997	2N5830	Amplificador Da Finalidade Geral de NPN	Fairchild Semiconductor
47998	2N5830	TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN	Micro Electronics
47999	2N5830	Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal	Central Semiconductor
48000	2N5830_D26Z	Finalidade Geral Amplifer de NPN	Fairchild Semiconductor

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