| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48001 | 2N5831 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 48002 | 2N5831 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48003 | 2N5831 | NPN sinal pequeno amplificador de uso geral de alta tensão. | Fairchild Semiconductor |
| 48004 | 2N5832 | Plástico-caixa Do Transistor de NPN Bipolar | Micro Commercial Components |
| 48005 | 2N5832 | Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 48006 | 2N5833 | NPN sinal pequeno amplificador de uso geral de alta tensão. | Fairchild Semiconductor |
| 48007 | 2N5838 | HIGH-VOLTAGE, TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE N-P-N DE HIGH-POWER | Motorola |
| 48008 | 2N5838 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48009 | 2N5838 | De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor de potência. | General Electric Solid State |
| 48010 | 2N5839 | HIGH-VOLTAGE, TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE N-P-N DE HIGH-POWER | Motorola |
| 48011 | 2N5839 | De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor de potência. | General Electric Solid State |
| 48012 | 2N5840 | HIGH-VOLTAGE, TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE N-P-N DE HIGH-POWER | Motorola |
| 48013 | 2N5840 | De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor de potência. | General Electric Solid State |
| 48014 | 2N5859 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48015 | 2N5861 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48016 | 2N5864 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 48017 | 2N5864 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39. | SemeLAB |
| 48018 | 2N5867 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48019 | 2N5870 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48020 | 2N5870 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48021 | 2N5871 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48022 | 2N5872 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48023 | 2N5873 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48024 | 2N5874 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
| 48025 | 2N5875 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48026 | 2N5875 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48027 | 2N5876 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48028 | 2N5876 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48029 | 2N5877 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48030 | 2N5877 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48031 | 2N5878 | PODER TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48032 | 2N5878 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48033 | 2N5879 | PODER TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48034 | 2N5879 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48035 | 2N5879 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48036 | 2N5880 | PODER TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48037 | 2N5880 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48038 | 2N5880 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48039 | 2N5881 | PODER TRANSISTORS(15A, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48040 | 2N5881 | TRANSISTOR COMPLEMENTARES DO SILICONE HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
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