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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
482812N6071-DTiristores Bidirectional Do Silicone Sensível Dos TRIAC Da PortaON Semiconductor
482822N6071ATRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
482832N6071ATRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482842N6071BTRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
482852N6071BTRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482862N6071BTTRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482872N6072Triac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. De pico repetitiva em estado de tensão de 300 V.Motorola
482882N6072ATriac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. De pico repetitiva em estado de tensão de 300 V.Motorola
482892N6072BTriac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. De pico repetitiva em estado de tensão de 300 V.Motorola
482902N6073TRIAC Leaded Do TiristorCentral Semiconductor
482912N6073Triac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. De pico repetitiva em estado de tensão de 400 V.Motorola
482922N6073ATRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
482932N6073ATRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482942N6073ATRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482952N6073BTRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
482962N6073BTRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
482972N6074Triac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. Pico repetitivo tensão de 500 V. off-estadoMotorola
482982N6074ATriac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. Pico repetitivo tensão de 500 V. off-estadoMotorola
482992N6074BTriac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. Pico repetitivo tensão de 500 V. off-estadoMotorola



483002N6075Triac portão sensível. Tiristor bidirecional Silício. 4 A RMS. Repetitivo pico de tensão de 600 V. off-estadoMotorola
483012N6075ATRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
483022N6075ATRIAC Leaded Do TiristorCentral Semiconductor
483032N6075ATRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
483042N6075BTRIAC 4 AMPÈRES de RMS 200 a 600 VOLTSMotorola
483052N6075BTRIAC Sensíveis Da PortaON Semiconductor
483062N6076TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DO SILICONE PNPFairchild Semiconductor
483072N6076Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
483082N6076PNP transistor de silício. 25V, 100mA.General Electric Solid State
483092N6076_D26ZTransistor Pequeno Do Sinal Do Silicone PNPFairchild Semiconductor
483102N6076_D27ZTransistor Pequeno Do Sinal Do Silicone PNPFairchild Semiconductor
483112N6076_D75ZTransistor Pequeno Do Sinal Do Silicone PNPFairchild Semiconductor
483122N6077Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
483132N6077De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor.General Electric Solid State
483142N6078TRANSISTOR DE PODER DE NPN MULTI-EPITAXIALSemeLAB
483152N6078TRANSISTOR DE PODER DE NPN MULTI-EPITAXIALSemeLAB
483162N6078De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor.General Electric Solid State
483172N6079Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO66SemeLAB
483182N6079De alta tensão, o silício de alta potência NPN transistor.General Electric Solid State
483192N6080TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FMMicrosemi
483202N6080TRANSISTOR DO RF & DA MICROONDA 130... APLICAÇÕES DO MÓDULO DE 230 MEGAHERTZ FMMicrosemi
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