| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48761 | 2N6420 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48762 | 2N6420 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48763 | 2N6421 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48764 | 2N6421 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48765 | 2N6421 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48766 | 2N6421 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48767 | 2N6422 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48768 | 2N6422 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48769 | 2N6422 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48770 | 2N6422 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48771 | 2N6423 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48772 | 2N6423 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 48773 | 2N6423 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48774 | 2N6423 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
| 48775 | 2N6424 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48776 | 2N6424 | PNP transistor, 225V, 0.25A | SemeLAB |
| 48777 | 2N6425 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48778 | 2N6425 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
| 48779 | 2N6426 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48780 | 2N6426 | Transistor Pequeno Leaded Darlington Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48781 | 2N6426 | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 48782 | 2N6426-D | Silicone Dos Transistor NPN De Darlington | ON Semiconductor |
| 48783 | 2N6426RLRA | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 48784 | 2N6426_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48785 | 2N6426_D74Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48786 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48787 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Philips |
| 48788 | 2N6427 | Transistor Pequeno Leaded Darlington Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48789 | 2N6427 | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 48790 | 2N6427 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DARLINGTON DE NPN | Samsung Electronic |
| 48791 | 2N6427RLRA | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 48792 | 2N6427_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48793 | 2N6427_D27Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48794 | 2N6427_D75Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 48795 | 2N6428 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48796 | 2N6428 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 48797 | 2N6428 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48798 | 2N6428A | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 48799 | 2N6428A | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 48800 | 2N6430 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
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