Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
48761 | 2N6420 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48762 | 2N6420 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
48763 | 2N6421 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
48764 | 2N6421 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
48765 | 2N6421 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48766 | 2N6421 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
48767 | 2N6422 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
48768 | 2N6422 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
48769 | 2N6422 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48770 | 2N6422 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
48771 | 2N6423 | PODER TRANSISTORS(35W) | MOSPEC Semiconductor |
48772 | 2N6423 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA TENSÃO COMPLEMENTARES DE MEDIUM-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
48773 | 2N6423 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48774 | 2N6423 | De alta tensão, de média potência PNP transistor de silício. | General Electric Solid State |
48775 | 2N6424 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48776 | 2N6424 | PNP transistor, 225V, 0.25A | SemeLAB |
48777 | 2N6425 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
48778 | 2N6425 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO66 | SemeLAB |
48779 | 2N6426 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48780 | 2N6426 | Transistor Pequeno Leaded Darlington Do Sinal | Central Semiconductor |
48781 | 2N6426 | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
48782 | 2N6426-D | Silicone Dos Transistor NPN De Darlington | ON Semiconductor |
48783 | 2N6426RLRA | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
48784 | 2N6426_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48785 | 2N6426_D74Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48786 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48787 | 2N6427 | Transistor de NPN Darlington | Philips |
48788 | 2N6427 | Transistor Pequeno Leaded Darlington Do Sinal | Central Semiconductor |
48789 | 2N6427 | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
48790 | 2N6427 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DARLINGTON DE NPN | Samsung Electronic |
48791 | 2N6427RLRA | Sinal Pequeno Darlington NPN | ON Semiconductor |
48792 | 2N6427_D26Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48793 | 2N6427_D27Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48794 | 2N6427_D75Z | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
48795 | 2N6428 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
48796 | 2N6428 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
48797 | 2N6428 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48798 | 2N6428A | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
48799 | 2N6428A | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 60V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48800 | 2N6430 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
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