| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 49041 | 2N6547 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49042 | 2N6547 | PODER TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49043 | 2N6547 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49044 | 2N6547 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49045 | 2N6547 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | ON Semiconductor |
| 49046 | 2N6547-D | Transistor De Poder Do Silicone Da Série NPN de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 49047 | 2N6548 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49048 | 2N6549 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49049 | 2N6550 | N-Channel junção de silício de efeito de campo transistor | InterFET Corporation |
| 49050 | 2N6551 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49051 | 2N6552 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49052 | 2N6553 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49053 | 2N6554 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49054 | 2N6555 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49055 | 2N6556 | Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geral | Central Semiconductor |
| 49056 | 2N6560 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
| 49057 | 2N6560 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
| 49058 | 2N6564 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49059 | 2N6564 | 300 V, silício retificador controlado | Boca Semiconductor Corporation |
| 49060 | 2N6565 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49061 | 2N6565 | SCRs Sensível | Teccor Electronics |
| 49062 | 2N6565 | 400 V, silício retificador controlado | Boca Semiconductor Corporation |
| 49063 | 2N6569 | PODER TRANSISTORS(12A, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49064 | 2N6569 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49065 | 2N656A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49066 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49067 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49068 | 2N6575 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 49069 | 2N6575 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 49070 | 2N6576 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49071 | 2N6576 | 15 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49072 | 2N6576 | 15 A NPN darlington poder transistor. 60 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A. | General Electric Solid State |
| 49073 | 2N6577 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49074 | 2N6577 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49075 | 2N6577 | 15 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49076 | 2N6577 | 15 A NPN darlington poder transistor. 90 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A. | General Electric Solid State |
| 49077 | 2N6578 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49078 | 2N6578 | 15 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49079 | 2N6578 | TRANSISTOR BIPOLAR DO PODER DARLINGTON DE NPN | SemeLAB |
| 49080 | 2N6578 | 15 A NPN darlington poder transistor. 120 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A. | General Electric Solid State |
| | | |
