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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
490412N6547TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER ELEVADO NPNSGS Thomson Microelectronics
490422N6547PODER TRANSISTORS(15A, 175w)MOSPEC Semiconductor
490432N6547TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DA SÉRIE NPN DE SWITCHMODEBoca Semiconductor Corporation
490442N6547Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
490452N6547TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPNON Semiconductor
490462N6547-DTransistor De Poder Do Silicone Da Série NPN de SWITCHMODEON Semiconductor
490472N6548Transistor De Poder Leaded DarlingtonCentral Semiconductor
490482N6549Transistor De Poder Leaded DarlingtonCentral Semiconductor
490492N6550N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
490502N6551Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490512N6552Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490522N6553Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490532N6554Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490542N6555Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490552N6556Os transistor complementares do silicone manufaturados pelo processo planar epitaial projetaram para o amplificador audio de finalidade geralCentral Semiconductor
490562N6560Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3.SemeLAB
490572N6560Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3.SemeLAB
490582N6564SCR Leaded Do TiristorCentral Semiconductor



490592N6564300 V, silício retificador controladoBoca Semiconductor Corporation
490602N6565SCR Leaded Do TiristorCentral Semiconductor
490612N6565SCRs SensívelTeccor Electronics
490622N6565400 V, silício retificador controladoBoca Semiconductor Corporation
490632N6569PODER TRANSISTORS(12A, 40v, 100w)MOSPEC Semiconductor
490642N6569Finalidade Geral Leaded De Transistor De PoderCentral Semiconductor
490652N656AFinalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do SinalCentral Semiconductor
490662N657TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPNContinental Device India Limited
490672N657TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE NPNContinental Device India Limited
490682N6575Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
490692N6575Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3SemeLAB
490702N6576Transistor De Poder Leaded DarlingtonCentral Semiconductor
490712N657615 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490722N657615 A NPN darlington poder transistor. 60 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.General Electric Solid State
490732N6577Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
490742N6577Transistor De Poder Leaded DarlingtonCentral Semiconductor
490752N657715 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490762N657715 A NPN darlington poder transistor. 90 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.General Electric Solid State
490772N6578Transistor De Poder Leaded DarlingtonCentral Semiconductor
490782N657815 PODER TRAN DO AMPÈRE NPN DARLINGTONGeneral Semiconductor
490792N6578TRANSISTOR BIPOLAR DO PODER DARLINGTON DE NPNSemeLAB
490802N657815 A NPN darlington poder transistor. 120 V. 120 W. Ganho de 2000 a 4 A.General Electric Solid State
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