| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 49081 | 2N657A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49082 | 2N6581 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 49083 | 2N6583 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 49084 | 2N6594 | PODER TRANSISTORS(12A, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49085 | 2N6594 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 49086 | 2N6594 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49087 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49088 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49089 | 2N6605 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49090 | 2N6606 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49091 | 2N6607 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49092 | 2N6608 | SCR Leaded Do Tiristor | Central Semiconductor |
| 49093 | 2N6609 | PODER TRANSISTORS(16A, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49094 | 2N6609 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49095 | 2N6609 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 49096 | 2N6609 | Poder 16A 140V PNP Discreto | ON Semiconductor |
| 49097 | 2N6609 | Silicon PNP epitaxial-base-alta potência transistor. -160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 49098 | 2N6619 | 12 V, 30 mA, NPN transistor de silício para o amplificador de banda larga RF de baixo ruído e aplicação de comutação de alta velocidade | Siemens |
| 49099 | 2N6620 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICADOR BROADBAND DO RF DO RUÍDO BAIXO | Siemens |
| 49100 | 2N6620 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICADOR BROADBAND DO RF DO RUÍDO BAIXO | Siemens |
| 49101 | 2N6621 | 25 V, 25 mA, a banda larga transistor de silício NPN RF | Siemens |
| 49102 | 2N6648 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49103 | 2N6648 | PODER TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49104 | 2N6648 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49105 | 2N6648 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -40 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49106 | 2N6649 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49107 | 2N6649 | PODER TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49108 | 2N6649 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49109 | 2N6649 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -60 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49110 | 2N6650 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49111 | 2N6650 | PODER TRANSISTORS(10A, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49112 | 2N6650 | Transistor De Poder Leaded Darlington | Central Semiconductor |
| 49113 | 2N6650 | 10 A PNP Darlington transistor de potência. -80 V. 70 W. Ganho de 1000 a 5 A. | General Electric Solid State |
| 49114 | 2N6653 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3. | SemeLAB |
| 49115 | 2N6654 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 49116 | 2N6655 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49117 | 2N6659 | TRANSISTOR DO MOS DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 49118 | 2N6659 | TRANSISTOR DO FET DO SWITCHING DE TMOS | Motorola |
| 49119 | 2N6660 | TRANSISTOR DO FET DO SWITCHING DE TMOS | Motorola |
| 49120 | 2N6660 | FETs Verticais Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
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