| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 49761 | 2N912 | Transistor Pequenos Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49762 | 2N914 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49763 | 2N915 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49764 | 2N915 | 0.360W Uso Geral NPN metal pode transistor. 50V VCEO, Um Ic, 50-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49765 | 2N916 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49766 | 2N917 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49767 | 2N917 | 0.200W RF NPN metal pode transistor. VCEO 15V, 0.050A Ic, 20-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49768 | 2N917A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49769 | 2N918 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49770 | 2N918 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 0013 De 2C918 | Semicoa Semiconductor |
| 49771 | 2N918 | OSCILADORES E AMPLIFICADORES DE HIGH-FREQUENCY | ST Microelectronics |
| 49772 | 2N918 | 0.200W RF NPN metal pode transistor. 15V VCEO, 0.050A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49773 | 2N918 | hfe min 20 pés typ 600 MHz Transistor polaridade NPN Ic corrente contínua max 0,05 A Tensão Vcbo 30 V de tensão VCEO 15 V Ic atual (HFE) 3 mA de energia Ptot 0,2 W | SGS Thomson Microelectronics |
| 49774 | 2N918ACSM | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote de superfície cerâmico hermetically selado da montagem LCC1 para aplicações elevadas da confiabilidade | SemeLAB |
| 49775 | 2N918ACSM | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote de superfície cerâmico hermetically selado da montagem LCC1 para aplicações elevadas da confiabilidade | SemeLAB |
| 49776 | 2N918CSM | FINALIDADE GERAL, TRANSISTOR PEQUENO Do SINAL NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 49777 | 2N918UB | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 0013 De 2C918 | Semicoa Semiconductor |
| 49778 | 2N929 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO18 | SemeLAB |
| 49779 | 2N929A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49780 | 2N930 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 49781 | 2N930 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
| 49782 | 2N930 | TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49783 | 2N930 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49784 | 2N930 | Tipo Polaridade NPN Da Microplaqueta Da Geometria 0307 De 2C2484 | Semicoa Semiconductor |
| 49785 | 2N930 | 0.500W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 45V, 0.030A Ic, - 600 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49786 | 2N930 | TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 49787 | 2N930A | TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49788 | 2N930A | 0.500W Uso Geral NPN metal pode transistor. VCEO 45V, 0.030A Ic, 100-600 hFE. | Continental Device India Limited |
| 49789 | 2N930B | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49790 | 2N930CSM | ALTA VELOCIDADE, PODER MÉDIO, TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL De NPN Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 49791 | 2N947 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49792 | 2N956 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL (SILICONE DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
| 49793 | 2N956 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49794 | 2N957 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49795 | 2N978 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49796 | 2N995 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18 | SemeLAB |
| 49797 | 2N995 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49798 | 2N996 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49799 | 2N998 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 49800 | 2NH45 | RETIFICADOR RÁPIDO DA RECUPERAÇÃO (TIPO APLICAÇÕES DO SWITCHING DA FONTE DE ALIMENTAÇÃO) | TOSHIBA |
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