| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 502001 | HN3G01J | TIPO TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR Da JUNÇÃO Da CANALETA De N Do SILICONE NPN Do Fet | TOSHIBA |
| 502002 | HN4400 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
| 502003 | HN4400 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 502004 | HN4401 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
| 502005 | HN4401 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 502006 | HN4402 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 502007 | HN4402 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 502008 | HN4403 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 502009 | HN4403 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 502010 | HN462716 | 2048 palavra x 8 apagáveis do bocado e EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 502011 | HN462716G | SOMENTE MEMÓRIA APAGÁVEL 8-BIT de 2048-2048-WORD x E ELETRICAMENTEPROGRAMÁVEL UV | Hitachi Semiconductor |
| 502012 | HN462732 | 4096 palavra x 8 apagáveis do bocado e EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 502013 | HN48016 | De WORD X 8 Do BOCADO 2048 ROM APAGÁVEL E PROGRAMÁVEL ELETRICAMENTE | Hitachi Semiconductor |
| 502014 | HN48016P | De WORD X 8 Do BOCADO 2048 ROM APAGÁVEL E PROGRAMÁVEL ELETRICAMENTE | Hitachi Semiconductor |
| 502015 | HN4827128 | Somente memória lida apagável da 16384-Palavra x e programável UV8-bit | Hitachi Semiconductor |
| 502016 | HN4A06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502017 | HN4A08J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502018 | HN4A51J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502019 | HN4A56JU | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502020 | HN4B01JE | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502021 | HN4B04J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502022 | HN4B06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502023 | HN4B101J | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 502024 | HN4B102J | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 502025 | HN4C05JU | Multi aplicações discretas do amplificador da finalidade geral de freqüência audio do dispositivo da microplaqueta para aplicações muting e comutando | TOSHIBA |
| 502026 | HN4C06J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502027 | HN4C51J | Transistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1 | TOSHIBA |
| 502028 | HN4D01JU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 502029 | HN4D02JU | Diodo de comutação | TOSHIBA |
| 502030 | HN4K03JU | Tipo Aplicações Análogas do MOS Da Canaleta Do Silicone N Do Transistor De Efeito De Campo Do Interruptor Das Aplicações De alta velocidade Do Switching | TOSHIBA |
| 502031 | HN5400 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 502032 | HN5400 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de PNP para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 502033 | HN5401 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | Honey Technology |
| 502034 | HN5401 | Transistor planar de Expitaxial do silicone de PNP para aplicações de alta tensão do amplificador da finalidade geral | Semtech |
| 502035 | HN546 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
| 502036 | HN546 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Semtech |
| 502037 | HN547 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
| 502038 | HN547 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Semtech |
| 502039 | HN548 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Semtech |
| 502040 | HN549 | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN | Honey Technology |
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