| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 50961 | 2SA1891 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 50962 | 2SA1892 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 50963 | 2SA1893 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO FLASH DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 50964 | 2SA1896 | Conversor Planar Epitaxial Do Transistor DC/DC Do Silicone de PNP, Aplicações Do Excitador Do Motor | SANYO |
| 50965 | 2SA1897 | 20 V, 5 A, transistor ultra-baixo da tensão do saturation de PNP | NEC |
| 50966 | 2SA1898 | Aplicação Planar Epitaxial Do Conversor Do Transistor DC/DC Do Silicone de PNP | SANYO |
| 50967 | 2SA1899 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE AMPLIFICADOR E DE EXCITADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50968 | 2SA1900 | Transistor > Poder Médio Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
| 50969 | 2SA1902 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 50970 | 2SA1902 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 50971 | 2SA1903 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50972 | 2SA1903 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 50973 | 2SA1903 | TRANSISTOR A 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50974 | 2SA1903 | O PODER DO PACOTE 1.2W GRAVOU O TRANSISTOR PROJETADO PARAO USO COM UMA COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| 50975 | 2SA1905 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 50976 | 2SA1907 | Silicone PNP Transistor(Audio planar epitaxial e finalidade geral) | Sanken |
| 50977 | 2SA1908 | Silicone PNP Transistor(Audio planar epitaxial e finalidade geral) | Sanken |
| 50978 | 2SA1909 | Silicone PNP Transistor(Audio planar epitaxial e finalidade geral) | Sanken |
| 50979 | 2SA1923 | Tipo Difundido Triplo Aplicações De alta tensão Do Silicone PNP Do Transistor Do Switching | TOSHIBA |
| 50980 | 2SA1924 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 50981 | 2SA1925 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 50982 | 2SA1926 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 50983 | 2SA1928 | O SILICONE PNP DUAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50984 | 2SA1928 | O SILICONE PNP DUAL TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50985 | 2SA1930 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE AMPLIFICADOR E DE EXCITADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50986 | 2SA1932 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE AMPLIFICADOR E DE EXCITADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50987 | 2SA1933 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING | TOSHIBA |
| 50988 | 2SA1934 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES ATUAIS ELEVADAS DO SWITCHING. APLICAÇÕES DO CONVERSOR DE DC-DC | TOSHIBA |
| 50989 | 2SA1937 | Tipo Difundido Triplo Aplicações De alta tensão Do Silicone PNP Do Transistor Do Switching | TOSHIBA |
| 50990 | 2SA1939 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50991 | 2SA1939 | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE PNP AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 50992 | 2SA1940 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50993 | 2SA1941 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50994 | 2SA1942 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50995 | 2SA1943 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE PNP DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 50996 | 2SA1943 | PNP Transistor epitaxial de silício | Fairchild Semiconductor |
| 50997 | 2SA1943N | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 50998 | 2SA1944 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
| 50999 | 2SA1944 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
| 51000 | 2SA1945 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL GERAL DO SILICONEPNP DA APLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DA FINALIDADE | Isahaya Electronics Corporation |
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