| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 510201 | HY51V18163HGLJ-6 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510202 | HY51V18163HGLJ-7 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, 70ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510203 | HY51V18163HGLT-5 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, 50ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510204 | HY51V18163HGLT-6 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510205 | HY51V18163HGLT-7 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, 70ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510206 | HY51V18163HGT | DRAM do EDO 16Bit do 1M x | Hynix Semiconductor |
| 510207 | HY51V18163HGT-5 | DRAM do EDO 16Bit do 1M x | Hynix Semiconductor |
| 510208 | HY51V18163HGT-6 | DRAM do EDO 16Bit do 1M x | Hynix Semiconductor |
| 510209 | HY51V18163HGT-7 | DRAM do EDO 16Bit do 1M x | Hynix Semiconductor |
| 510210 | HY51V65163HG | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510211 | HY51V65163HGJ-45 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510212 | HY51V65163HGJ-5 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510213 | HY51V65163HGJ-6 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510214 | HY51V65163HGLJ-45 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 45ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510215 | HY51V65163HGLJ-5 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 50ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510216 | HY51V65163HGLJ-6 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510217 | HY51V65163HGLT-45 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 45ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510218 | HY51V65163HGLT-5 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 50ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510219 | HY51V65163HGLT-6 | 4M x 16Bit EDO DRAM, 3.3V, LVTTL-interface, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510220 | HY51V65163HGT-45 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510221 | HY51V65163HGT-5 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510222 | HY51V65163HGT-6 | DRAM do EDO de 4M x 16Bit | Hynix Semiconductor |
| 510223 | HY51V7403HG | DRAM do EDO de 4M x 4Bit | Hynix Semiconductor |
| 510224 | HY51VS17403HG | DRAM do EDO de 4M x 4Bit | Hynix Semiconductor |
| 510225 | HY51VS17403HGJ-5 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 50ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510226 | HY51VS17403HGJ-6 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 60ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510227 | HY51VS17403HGJ-7 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 70ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510228 | HY51VS17403HGLJ-5 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510229 | HY51VS17403HGLJ-6 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510230 | HY51VS17403HGLJ-7 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 70ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510231 | HY51VS17403HGLT-5 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510232 | HY51VS17403HGLT-6 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510233 | HY51VS17403HGLT-7 | 4.194.304 palavras x 4 bits EDO RAM, 3.3V, 70ns, baixo consumo de energia | Hynix Semiconductor |
| 510234 | HY51VS17403HGT-5 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 50ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510235 | HY51VS17403HGT-6 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 60ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510236 | HY51VS17403HGT-7 | 4.194.304 palavras x EDO RAM, 3.3V, 70ns 4 bits | Hynix Semiconductor |
| 510237 | HY51VS18163HG | DRAM do EDO 16Bit do 1M x | Hynix Semiconductor |
| 510238 | HY51VS18163HGJ-5 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, auto atualização, 50ns | Hynix Semiconductor |
| 510239 | HY51VS18163HGJ-6 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, auto atualização, 60ns | Hynix Semiconductor |
| 510240 | HY51VS18163HGJ-7 | RAM dinâmica organizada 1.048.576 palavras x 16bit, auto atualização, 70ns | Hynix Semiconductor |
| | | |
