| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53081 | 2SC1921 | Triplo Do Silicone NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53082 | 2SC1921 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53083 | 2SC1921 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53084 | 2SC1922 | Transistor Do Pacote Do Poder TO-3 (NPN) | Unknow |
| 53085 | 2SC1922 | Transistor Do Pacote Do Poder TO-3 (NPN) | Unknow |
| 53086 | 2SC1923 | Tipo planar epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) aplicações de alta freqüência FM do PCT do amplificador, RF, MISTURA, SE aplicações do amplificador | TOSHIBA |
| 53087 | 2SC1927 | TRANSISTOR DUPLO EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICADOR DIFERENCIAL E O USO INDUSTRIAL DO SWITCHING ULTRA DE ALTA VELOCIDADE | NEC |
| 53088 | 2SC1929 | PLANAR EPITAXIAL DO SI NPN | Panasonic |
| 53089 | 2SC1929 | PLANAR EPITAXIAL DO SI NPN | Panasonic |
| 53090 | 2SC1940 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53091 | 2SC1940 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53092 | 2SC1941 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53093 | 2SC1941 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53094 | 2SC1942 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA TEVÊ DO SWITCHING DEALTA TENSÃO DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53095 | 2SC1942 | SAÍDA HORIZONTAL DA DEFLEXÃO DA TEVÊ DO SWITCHING DEALTA TENSÃO DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 53096 | 2SC1944 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53097 | 2SC1945 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53098 | 2SC1946 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53099 | 2SC1946A | TRANSISTOR DE PODER DE MITSUBISHI RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53100 | 2SC1947 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53101 | 2SC1953 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 53102 | 2SC1959 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 53103 | 2SC1966 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53104 | 2SC1967 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53105 | 2SC1968 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53106 | 2SC1968A | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53107 | 2SC1969 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53108 | 2SC1970 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53109 | 2SC1971 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53110 | 2SC1972 | Amplificadores de poder PLANAR EPITAXIAL de NPN TYPE(for RF em aplicações de rádio móveis da faixa do VHF) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53111 | 2SC1973 | PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR NPN | Panasonic |
| 53112 | 2SC1974 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | Unknow |
| 53113 | 2SC1974 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | Unknow |
| 53114 | 2SC1975 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | Unknow |
| 53115 | 2SC1975 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | Unknow |
| 53116 | 2SC1980 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
| 53117 | 2SC1983 | INVERSORES SOLENÓIDE DOS REGULADORES PWM DO SILICONE DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING DE NPN E EXCITADORES DO RELÉ) | Wing Shing Computer Components |
| 53118 | 2SC1985 | 60V NPN transistor de silício | Sanken |
| 53119 | 2SC1986 | 80V NPN transistor de silício | Sanken |
| 53120 | 2SC1988 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE FREQUNY DE NPN | NEC |
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