Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
53321 | 2SC2335-Z | Transistor do silicone | NEC |
53322 | 2SC2336 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
53323 | 2SC2336A | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
53324 | 2SC2336B | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | NEC |
53325 | 2SC2344 | Switching Planar Epitaxial Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN, Poder Ampère do Af, Aplicações De Predriver Da Saída 100W | SANYO |
53326 | 2SC2347 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA Do Silicone NPN Do Transistor Do Misturador do Vhf da Tevê Das Aplicações Do Oscilador da Tevê | TOSHIBA |
53327 | 2SC2349 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Do Silicone NPN Do Transistor Do Oscilador do Vhf da Tevê | TOSHIBA |
53328 | 2SC2351 | MOLDE MINI DO TRANSISTOR EPITAXIAL BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
53329 | 2SC2352 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53330 | 2SC2352 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53331 | 2SC2353 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53332 | 2SC2353 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53333 | 2SC2356 | TRANSISTOR DE PODER DIFUNDIDO TRIPLO DE ALTA VELOCIDADEDO SILICONE NPN 10 AMPÈRES, 400 VOLTS | Fujitsu Microelectronics |
53334 | 2SC2356 | TRANSISTOR DE PODER DIFUNDIDO TRIPLO DE ALTA VELOCIDADEDO SILICONE NPN 10 AMPÈRES, 400 VOLTS | Fujitsu Microelectronics |
53335 | 2SC2360 | Si NPN planar. Amplificador de UHF. | Panasonic |
53336 | 2SC2360(H) | Si NPN planar. Amplificador de UHF. Misturador UNF | Panasonic |
53337 | 2SC2362 | Aplicações Do Ampère Do Baixo-Ruído Da Elevado-Tensão | SANYO |
53338 | 2SC2362K | Aplicações Do Ampère Do Baixo-Ruído Da Elevado-Tensão | SANYO |
53339 | 2SC2363 | TIPO PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR DE PNP/NPN DO SILICONE | Unknow |
53340 | 2SC2363 | TIPO PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR DE PNP/NPN DO SILICONE | Unknow |
53341 | 2SC2365 | TRANSISTOR | Micro Electronic Instrument Inc |
53342 | 2SC2367 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
53343 | 2SC2367 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
53344 | 2SC2368 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53345 | 2SC2368 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53346 | 2SC2369 | TRANSISTOR ELEVADO DO SILICONE FREQUNY DE NPN | NEC |
53347 | 2SC2373 | PODER TRANSISTORS(7.5A, 100v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
53348 | 2SC2377 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores e outros da Elevado-Freqüência | Panasonic |
53349 | 2SC2380 | Tipo Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
53350 | 2SC2383 | TIPO EPITAXIAL TEVÊ VERT DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DA COR. APLICAÇÕES SADIAS Da SAÍDA Da SAÍDA Da DEFLEXÃO E Da CLASSE B Da Tevê Da COR | TOSHIBA |
53351 | 2SC2389S | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
53352 | 2SC2395 | TRANSISTOR (USO LINEAR DA TENSÃO DE FONTE DO AMPLIFICADOR DE PODER APPLICATIONS)(LOW DE 2~30MHZ SSB) | TOSHIBA |
53353 | 2SC2396 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
53354 | 2SC2396 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
53355 | 2SC2396 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
53356 | 2SC2404 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - amplificadores e outros da Elevado-Freqüência | Panasonic |
53357 | 2SC2405 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
53358 | 2SC2406 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
53359 | 2SC2408 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
53360 | 2SC2408 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
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