| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53401 | 2SC2468 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53402 | 2SC2468 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53403 | 2SC2469 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53404 | 2SC2469 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53405 | 2SC2471 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53406 | 2SC2471 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 53407 | 2SC2472 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Unknow |
| 53408 | 2SC2472 | AMPLIFICADOR DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Unknow |
| 53409 | 2SC2480 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Elevado-Freqüência para tuners | Panasonic |
| 53410 | 2SC2482 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO SWITCHING DE ALTA TENSÃO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR E AMPLIFICADOR, TEVÊ HORIZ DA COR. EXCITADOR E APLICAÇÕES DA SAÍDA DO CHROMA DA TEVÊ DA COR | TOSHIBA |
| 53411 | 2SC2484 | Silicon NPN de base epitaxial mesa transistor, 80V, 5A | Panasonic |
| 53412 | 2SC2485 | TRANSISTOR BAIXO DO SILICONE EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53413 | 2SC2486 | TRANSISTOR BAIXO DO SILICONE EPITAXAL LESA | Panasonic |
| 53414 | 2SC2488 | MESA EPITAXIAL DO SI NPN | Panasonic |
| 53415 | 2SC2489 | MESA EPITAXIAL DO SI NPN | Panasonic |
| 53416 | 2SC2497 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 53417 | 2SC2497A | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 53418 | 2SC2498 | Tipo Planar Epitaxial Aplicação Baixa Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 53419 | 2SC2500 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES MÉDIAS DO AMPLIFICADOR DE PODER DAS APLICAÇÕES DO FLASH DO ESTROBOSCÓPIO | TOSHIBA |
| 53420 | 2SC2502 | PODER TRANSISTORS(6.0A, 400v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53421 | 2SC2504 | 100W T10V | Shindengen |
| 53422 | 2SC2510 | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES LINEARES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER DE 2~30MHZ SSB (USO DA TENSÃO DE FONTE 28V) | TOSHIBA |
| 53423 | 2SC2512 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53424 | 2SC2512 | Triplo Do Silicone NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53425 | 2SC2517 | Transistor do silicone | NEC |
| 53426 | 2SC2517-S | Transistor do silicone | NEC |
| 53427 | 2SC2517-Z | Transistor do silicone | NEC |
| 53428 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53429 | 2SC2518 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53430 | 2SC2519 | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Panasonic |
| 53431 | 2SC2519 | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | Panasonic |
| 53432 | 2SC2525 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE | Fujitsu Microelectronics |
| 53433 | 2SC2525 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA AUDIO) | TOSHIBA |
| 53434 | 2SC2526 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE | Fujitsu Microelectronics |
| 53435 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE | Fujitsu Microelectronics |
| 53436 | 2SC2527 | TRANSISTOR DE PODER DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE | Fujitsu Microelectronics |
| 53437 | 2SC2532 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT estágio de excitador das aplicações do amplificador da freqüência audio para aplicações da compensação da temperatura de aplicações da lâmpada do diodo emissor d | TOSHIBA |
| 53438 | 2SC2538 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53439 | 2SC2539 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53440 | 2SC2540 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
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