| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53721 | 2SC2946(1) | Transistor do silicone | NEC |
| 53722 | 2SC29461 | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 53723 | 2SC2951 | O ASI 2SC2951 é um transistor de alta freqüência projetado para aplicações do oscilador da finalidade geral até 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53724 | 2SC2951 | O ASI 2SC2951 é um transistor de alta freqüência projetado para aplicações do oscilador da finalidade geral até 10 gigahertz. | Advanced Semiconductor |
| 53725 | 2SC2952 | O 2SC2592 é um transistor de alta freqüência projetado para aplicações do amplificador da finalidade geral VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53726 | 2SC2952 | O 2SC2592 é um transistor de alta freqüência projetado para aplicações do amplificador da finalidade geral VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53727 | 2SC2954 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI | NEC |
| 53728 | 2SC2954-T1 | Para a alta freqüência Amplify, baixo ruído, e banda larga. | NEC |
| 53729 | 2SC2954-T2 | Para a alta freqüência Amplify, baixo ruído, e banda larga. | NEC |
| 53730 | 2SC2958 | Transistor do silicone | NEC |
| 53731 | 2SC2958-T | Transistor do silicone | NEC |
| 53732 | 2SC2959 | Transistor do silicone | NEC |
| 53733 | 2SC2959-T | Transistor do silicone | NEC |
| 53734 | 2SC2960 | Dos Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN Aplicações De alta velocidade Do Switching | SANYO |
| 53735 | 2SC2979 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53736 | 2SC2979 | Triplo Do Silicone NPN Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 53737 | 2SC2979 | PODER TRANSISTORS(3A, 800v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53738 | 2SC2979 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53739 | 2SC2982 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações flash de Storobo | TOSHIBA |
| 53740 | 2SC2983 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 53741 | 2SC2987 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53742 | 2SC2987 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53743 | 2SC2987 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53744 | 2SC2987 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53745 | 2SC2987A | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53746 | 2SC2987A | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53747 | 2SC2987A | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53748 | 2SC2987A | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
| 53749 | 2SC2988 | Transistor (guia da seleção por Aplicação e por funções) | Panasonic |
| 53750 | 2SC2995 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) FM/AM RF do PCT, MISTURA, OSCILADOR, SE aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 53751 | 2SC2996 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) FM/AM RF do PCT, MISTURA, local, SE aplicações de alta freqüência do amplificador | TOSHIBA |
| 53752 | 2SC2999 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador do Hf Do Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53753 | 2SC3000 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador do Hf Do Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 53754 | 2SC3001 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53755 | 2SC3006 | TRANSISTOR (APLICAÇÕES DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FAIXA) | TOSHIBA |
| 53756 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 53757 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 53758 | 2SC3007 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN (PROCESSO DO PCT) | TOSHIBA |
| 53759 | 2SC3011 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de UHF~C | TOSHIBA |
| 53760 | 2SC3012 | TRIPLICAR-SE DO SILICONE DO SILICONE EPITAXIAL/NPN DE PNP DIFUNDIU O TRANSISTOR | Unknow |
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