| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 54321 | 2SC3552 | DESCRIÇÃO Planar Epitaxial De Transistor(GENERAL Do Silicone) | Wing Shing Computer Components |
| 54322 | 2SC3553 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54323 | 2SC3553 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 54324 | 2SC3554 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI | NEC |
| 54325 | 2SC3554-T1 | Transistor do silicone | NEC |
| 54326 | 2SC3554-T2 | Transistor do silicone | NEC |
| 54327 | 2SC3559 | 3A; 30W; V (CEO): 800V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54328 | 2SC3560 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54329 | 2SC3561 | 2A; 20W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54330 | 2SC3562 | 10A; 40W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54331 | 2SC3563 | 10A; 40W; V (CEO): 450V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54332 | 2SC3567 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54333 | 2SC3568 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54334 | 2SC3569 | Transistor do silicone | NEC |
| 54335 | 2SC3571 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54336 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54337 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54338 | 2SC3572 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54339 | 2SC3576 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 54340 | 2SC3580 | 900mW Chumbo transistor NPN quadro, classificação máxima: 20V VCEO, 700mA Ic, 150-800 hFE. 2SA1398 Complementar | Isahaya Electronics Corporation |
| 54341 | 2SC3581 | 900mW Chumbo transistor NPN quadro, classificação máxima: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 Complementar | Isahaya Electronics Corporation |
| 54342 | 2SC3582 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 54343 | 2SC3582-T | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54344 | 2SC3583 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 54345 | 2SC3583-L | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54346 | 2SC3583-T1B | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54347 | 2SC3583-T2B | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54348 | 2SC3585 | SILICONE BAIXO TRANSISOR EPITAXIAL DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA | NEC |
| 54349 | 2SC3585-L | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54350 | 2SC3585-T1B | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54351 | 2SC3585-T2B | Para microondas amplificar e baixo ruído. | NEC |
| 54352 | 2SC3587 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN PARA O AMPLIFICATION DA MICROONDA LOW-NOISE | NEC |
| 54353 | 2SC3588 | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54354 | 2SC3588-Z | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54355 | 2SC3591 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição High-Definition do CRT | SANYO |
| 54356 | 2SC3595 | Da Exposição Planar Epitaxial do CRT Da Ultrahigh-Definição Do Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
| 54357 | 2SC3596 | Da Exposição Ultrahigh-Difinition-Difinition Planar Epitaxial do CRT Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
| 54358 | 2SC3597 | Da Exposição Ultrahigh-Difinition-Difinition Planar Epitaxial do CRT Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
| 54359 | 2SC3598 | Da Exposição Ultrahigh-Difinition-Difinition Planar Epitaxial do CRT Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
| 54360 | 2SC3599 | Da Exposição Ultrahigh-Difinition-Difinition Planar Epitaxial do CRT Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
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