| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 54401 | 2SC3623A | Transistor do silicone | NEC |
| 54402 | 2SC3623A(M)-T | Transistor do silicone | NEC |
| 54403 | 2SC3623A-T | Transistor do silicone | NEC |
| 54404 | 2SC3623A-T/JM | Transistor do silicone | NEC |
| 54405 | 2SC3623A/JM | Transistor do silicone | NEC |
| 54406 | 2SC3624 | AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO, DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI COMUTANDO | NEC |
| 54407 | 2SC3624-L | Transistor do silicone | NEC |
| 54408 | 2SC3624-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 54409 | 2SC3624-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 54410 | 2SC3624A | AMPLIFICADOR DA FREQÜÊNCIA AUDIO, DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN MOLDE MINI COMUTANDO | NEC |
| 54411 | 2SC3624A-L | Transistor do silicone | NEC |
| 54412 | 2SC3624A-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 54413 | 2SC3624A-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 54414 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; NPN transistor. Para mudar regulação | TOSHIBA |
| 54415 | 2SC3628 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54416 | 2SC3629 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54417 | 2SC3630 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54418 | 2SC3631 | Transistor do silicone | NEC |
| 54419 | 2SC3631-Z | TRANSISTOR DIFUNDIDO TRIPLICAR-SE MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54420 | 2SC3632 | Transistor do silicone | NEC |
| 54421 | 2SC3632-Z | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54422 | 2SC3632Z | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54423 | 2SC3632Z | TRANSISTOR EPITAXIAL MP-3 DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 54424 | 2SC3636 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Muito High-Definition | SANYO |
| 54425 | 2SC3637 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Muito High-Definition | SANYO |
| 54426 | 2SC3638 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Muito High-Definition | SANYO |
| 54427 | 2SC3642 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Da Ultrahigh-Definição | SANYO |
| 54428 | 2SC3643 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Muito High-Definition | SANYO |
| 54429 | 2SC3644 | Aplicações Horizontais Da Saída Da Deflexão Da Exposição Da Ultrahigh-Definição | SANYO |
| 54430 | 2SC3645 | Switching Planar Epitaxial Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN, Aplicações De Predriver | SANYO |
| 54431 | 2SC3646 | Aplicações Planar Epitaxial Do Switching Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 54432 | 2SC3647 | Aplicações Planar Epitaxial Do Switching Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 54433 | 2SC3648 | Switching Planar Epitaxial Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN, Aplicações De Predriver | SANYO |
| 54434 | 2SC3649 | Aplicações Planar Epitaxial Do Switching Da Elevado-Tensão Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 54435 | 2SC3650 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 54436 | 2SC3651 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 54437 | 2SC3651 | High Gain, Low Frequency, Uso Geral NPN Transistor Amplificador | ON Semiconductor |
| 54438 | 2SC3652 | AMPLIFICADOR DE ALTA FREQÜÊNCIA EPITAXIAL DO SILICONENPN | Hitachi Semiconductor |
| 54439 | 2SC3652 | AMPLIFICADOR DE ALTA FREQÜÊNCIA EPITAXIAL DO SILICONENPN | Hitachi Semiconductor |
| 54440 | 2SC3657 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. REGULADOR DE SWITCHING E APLICAÇÕES DO SWITCHING DA ALTA TENSÃO. APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC. | TOSHIBA |
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