| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 55721 | 2SC4958-T2 | MOLDE MINI SUPER DO TRANSISTOR EPITAXIAL BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
| 55722 | 2SC4959 | MOLDE MINI SUPER DO TRANSISTOR EPITAXIAL BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
| 55723 | 2SC4959-T1 | MOLDE MINI SUPER DO TRANSISTOR EPITAXIAL BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
| 55724 | 2SC4959-T2 | MOLDE MINI SUPER DO TRANSISTOR EPITAXIAL BAIXO DE ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO | NEC |
| 55725 | 2SC4960 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Swicthing | Panasonic |
| 55726 | 2SC4960A | Switching planar do poder do type(For da difusão tripla do silicone NPN) | Panasonic |
| 55727 | 2SC4964 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55728 | 2SC4964 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55729 | 2SC4964 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55730 | 2SC4965 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55731 | 2SC4965 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55732 | 2SC4968 | Da faixa DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA epitaxial do type(For do planer do silicone NPN amplification low-noise) | Panasonic |
| 55733 | 2SC4976 | Da Exposição High-Definition Planar Epitaxial do CRT Dos Transistor Do Silicone de NPN Aplicações Video Da Saída | SANYO |
| 55734 | 2SC4977 | TIPO TRANSISTOR BIPOLARES DO MOLDE | Unknow |
| 55735 | 2SC4977 | TIPO TRANSISTOR BIPOLARES DO MOLDE | Unknow |
| 55736 | 2SC4978 | Série Dos Transistor Do Switching Da Tensão Do Baixo-Low-Saturation/HSV (Montagem De superfície) | Shindengen |
| 55737 | 2SC4978 | Baixa saturação de alta velocidade de comutação de tensão transistor bipolar | Shindengen |
| 55738 | 2SC4979 | Série Dos Transistor Do Switching Da Tensão Do Baixo-Low-Saturation/HSV (Montagem De superfície) | Shindengen |
| 55739 | 2SC4979 | Baixa saturação de alta velocidade de comutação de tensão transistor bipolar | Shindengen |
| 55740 | 2SC4980 | Série Dos Transistor Do Switching Da Tensão Do Baixo-Low-Saturation/HSV (Tipo De Três Terminais) | Shindengen |
| 55741 | 2SC4981 | Série Dos Transistor Do Switching Da Tensão Do Baixo-Low-Saturation/HSV (Tipo De Três Terminais) | Shindengen |
| 55742 | 2SC4982 | Série Dos Transistor Do Switching Da Tensão Do Baixo-Low-Saturation/HSV (Tipo De Três Terminais) | Shindengen |
| 55743 | 2SC4983 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador Da Geral-Finalidade Da Baixo-Freqüência Do Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 55744 | 2SC4984 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador Da Geral-Finalidade Da Baixo-Freqüência Dos Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
| 55745 | 2SC4985 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Swicthing | Panasonic |
| 55746 | 2SC4986 | Para alta tensão de ruptura de comutação de alta velocidade | Panasonic |
| 55747 | 2SC4987 | Do Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN Aplicações De alta velocidade Do Switching | SANYO |
| 55748 | 2SC4988 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55749 | 2SC4988 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55750 | 2SC4988 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55751 | 2SC4989 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 55752 | 2SC4993 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55753 | 2SC4993 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55754 | 2SC4994 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55755 | 2SC4994 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55756 | 2SC4995 | Transistor Do Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55757 | 2SC4995 | Silicone NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55758 | 2SC4995 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55759 | 2SC5000 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 55760 | 2SC5001 | Transistor > Poder Médio Transistors(0.5W-1.0W) Bipolar | ROHM |
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