| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 56001 | 2SC5186-T1 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN NO PACOTE ULTRA SUPER DE MINI-MOLD PARA O AMPLIFICATION DA MICROONDA DE LOW-NOISE | NEC |
| 56002 | 2SC5190 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Elevado-Freqüência para tuners | Panasonic |
| 56003 | 2SC5191 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56004 | 2SC5191-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56005 | 2SC5191-T2 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56006 | 2SC5192 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA PINOS EPITAXIAL MOLDE MINI DO TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56007 | 2SC5192-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA PINOS EPITAXIAL MOLDE MINI DO TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56008 | 2SC5192-T2 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA PINOS EPITAXIAL MOLDE MINI DO TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56009 | 2SC5192R | Unidade de baixa tensão, o transistor de alta freqüência | NEC |
| 56010 | 2SC5192R-T1 | Unidade de baixa tensão, o transistor de alta freqüência | NEC |
| 56011 | 2SC5192R-T2 | Unidade de baixa tensão, o transistor de alta freqüência | NEC |
| 56012 | 2SC5193 | DO ESTOJO COMPACTO EPITAXIAL BAIXO DO TRANSISTOR DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA MOLDE MINI | NEC |
| 56013 | 2SC5193-T1 | DO ESTOJO COMPACTO EPITAXIAL BAIXO DO TRANSISTOR DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA MOLDE MINI | NEC |
| 56014 | 2SC5193-T2 | DO ESTOJO COMPACTO EPITAXIAL BAIXO DO TRANSISTOR DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA MOLDE MINI | NEC |
| 56015 | 2SC5194 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56016 | 2SC5194-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56017 | 2SC5194-T2 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56018 | 2SC5195 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56019 | 2SC5195-T1 | DO SILICONE BAIXO DO AMPLIFICADOR NPN DO RUÍDO DA MICROONDA TRANSISTOR EPITAXIAL | NEC |
| 56020 | 2SC5196 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 56021 | 2SC5196 | C.C. PLANAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DO SILICONE TRANSISTOR(AUDIO DE NPN AO CONVERSOR DA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
| 56022 | 2SC5197 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 56023 | 2SC5198 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 56024 | 2SC5199 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 56025 | 2SC5200 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO APLICAÇÕES DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DE PODER | TOSHIBA |
| 56026 | 2SC5200 | NPN Silicon Transistor epitaxial | Fairchild Semiconductor |
| 56027 | 2SC5200N | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56028 | 2SC5201 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO MESA DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SWITCHING. | TOSHIBA |
| 56029 | 2SC5207A | PLANAR DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56030 | 2SC5209 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56031 | 2SC5209 | PARA O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO DAFONTE DE ALIMENTAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO DO RELÉ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56032 | 2SC5210 | 500mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56033 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 56034 | 2SC5211 | SILICONE NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 56035 | 2SC5212 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56036 | 2SC5212 | PARA O TIPO EPITAXIAL ALTAMENTE ATUAL DO SILICONE NP DAAPLICAÇÃO DA MOVIMENTAÇÃO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56037 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
| 56038 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
| 56039 | 2SC5214 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
| 56040 | 2SC5214 | Para A Freqüência Baixa Amplifique O Tipo Epitaxial De Npn Do Silicone Da Aplicação | Isahaya Electronics Corporation |
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