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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
561681IF4500Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561682IF4501Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561683IF4510N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561684IF4511N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561685IF9030Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561686IFC-0603Indutor Elevado Da Película de Q/SRFVishay
561687IFC-0805Indutor Elevado Da Película de Q/SRFVishay
561688IFC125-14AC / DC quadro aberto. 125 Watts. Saída 1: Vnom 24.0V, 5.2A Imax. Resultado 2: Vnom 12.0V, 0.5A Imax.International Power Sources
561689IFC125-31AC / DC quadro aberto. 125 Watts. Saída 1: Vnom 5.0V, Imax 16,5. Resultado 2: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Resultado 3: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561690IFC125-40-1AC / DC quadro aberto. 125 Watts. Saída 1: Vnom 2.5V, Imax 12.5A. Resultado 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Resultado 3: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Resultado 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561691IFC125-42-3AC / DC quadro aberto. 125 Watts. Saída 1: Vnom 3.3V, Imax 10,0 A. Resultado 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Resultado 3: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Resultado 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561692IFD-53010Silicone Divide-by-4 bipolar de MMIC 3.5 e 5.5 estática Prescalers do gigahertzAgilent (Hewlett-Packard)
561693IFD-53110Silicone Divide-by-4 bipolar de MMIC 3.5 e 5.5 estática Prescalers do gigahertzAgilent (Hewlett-Packard)
561694IFN105N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561695IFN112N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561696IFN113N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561697IFN146Transistor Duplo Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561698IFN147N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation



561699IFN152N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561700IFN363N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561701IFN421Dupla N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561702IFN422Dupla N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561703IFN423Dupla N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561704IFN424Transistor Duplo Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561705IFN425Transistor Duplo Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561706IFN426Transistor Duplo Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561707IFN5114P-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561708IFN5115P-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561709IFN5116P-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561710IFN5432N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561711IFN5433N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561712IFN5434N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561713IFN5564N-Channel junção dupla silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561714IFN5565N-Channel junção dupla silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561715IFN5566N-Channel junção dupla silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561716IFN5911N-Channel junção dupla silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561717IFN5912N-Channel junção dupla silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
561718IFN6449Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561719IFN6450Transistor Do Campo-Efeito Da Junção Do Silicone Da N-CanaletaInterFET Corporation
561720IFN860Dupla N-Channel junção de silício de efeito de campo transistorInterFET Corporation
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