| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 56281 | 2SC5450 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
| 56282 | 2SC5451 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
| 56283 | 2SC5452 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
| 56284 | 2SC5453 | Transistor Horizontais Do Switching Da Deflexão | SANYO |
| 56285 | 2SC5454 | 4-PINOS EPITAXIAL MOLDE MINI DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 56286 | 2SC5455 | 4-PINOS EPITAXIAL MOLDE MINI DO TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 56287 | 2SC5457 | Do type(For planar triplo da difusão do silicone NPN switching de alta velocidade elevado da tensão de avaria) | Panasonic |
| 56288 | 2SC5458 | Tipo difundido triplo regulador do silicone NPN do transistor de switching e switching da alta tensão, conversor de DC-DC, aplicações do inversor de DC-AC | TOSHIBA |
| 56289 | 2SC5459 | Tipo difundido triplo regulador do silicone NPN do transistor de switching e switching da alta tensão, conversor de DC-DC, aplicações do conversor de DC-AC | TOSHIBA |
| 56290 | 2SC5460 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. APLICAÇÕES DINÂMICAS DO FOCO. APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO SWITCHING. APLICAÇÕES DE ALTA TENSÃO DO AMPLIFICADOR. | TOSHIBA |
| 56291 | 2SC5463 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 56292 | 2SC5464 | Tipo Planar Epitaxial Aplicações Baixas Do Silicone NPN Do Transistor Do Amplificador Do Ruído Da Faixa de VHF~UHF | TOSHIBA |
| 56293 | 2SC5464FT | TIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF | TOSHIBA |
| 56294 | 2SC5465 | Tipo difundido triplo regulador do silicone NPN do transistor de switching e aplicações de alta velocidade do conversor das aplicações DC-DC do switching da alta tensão | TOSHIBA |
| 56295 | 2SC5466 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR. FOCO DINÂMICO, SWITCHING DE ALTA TENSÃO E APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA ALTA TENSÃO. | TOSHIBA |
| 56296 | 2SC5468 | TIPO DO SILICONE NPN EPITAXILA DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT ESTÁGIO VIDEO DA SAÍDA NA EXPOSIÇÃO DE ALTA RESOLUÇÃO | TOSHIBA |
| 56297 | 2SC5470 | SAÍDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLA DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DO CARÁTER DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56298 | 2SC5470 | SAÍDA HORIZONTAL DIFUNDIDA TRIPLA DA DEFLEXÃO DA EXPOSIÇÃO DO CARÁTER DO SILICONE NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56299 | 2SC5472 | Do type(For epitaxial do planer do silicone NPN oscilação de alta freqüência low-noise low-voltage) | Panasonic |
| 56300 | 2SC5473 | Do type(For epitaxial do planer do silicone NPN oscilação de alta freqüência low-noise low-voltage) | Panasonic |
| 56301 | 2SC5474 | Do type(For epitaxial do planer do silicone NPN oscilação de alta freqüência low-noise low-voltage) | Panasonic |
| 56302 | 2SC5476 | Transistor De Darlington | SANYO |
| 56303 | 2SC5477 | 150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 a (típico) 148 hFE. A amplificação de alta freqüência | Isahaya Electronics Corporation |
| 56304 | 2SC5478 | Do type(For triplo do mesa da difusão do silicone NPN deflexão horizontal output) | Panasonic |
| 56305 | 2SC5480 | Saída Difundida Tripla Da Deflexão Do Silicone NPN Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56306 | 2SC5480 | Saída Difundida Tripla Da Deflexão Do Silicone NPN Horizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56307 | 2SC5482 | PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56308 | 2SC5482 | PARA O PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA AMPLIFIQUE O TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DE APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56309 | 2SC5484 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56310 | 2SC5484 | TRANSISTOR DO SILICONE NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56311 | 2SC5485 | PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56312 | 2SC5485 | PARA O TIPO EPITAXIAL ATUAL ELEVADO DO SILICONE NPN DA APLICAÇÃO MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56313 | 2SC5486 | 600mW Chumbo transistor NPN quadro, classificação máxima: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56314 | 2SC5488 | Vhf planar epitaxial do transistor do silicone de NPN às aplicações wide-Band do amplificador do Baixo-Ruído DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | SANYO |
| 56315 | 2SC5488A | RF Transistor, 10V, 70mA, fT = 7GHz, NPN Único SSFP | ON Semiconductor |
| 56316 | 2SC5489 | Vhf planar epitaxial do transistor do silicone de NPN às aplicações wide-Band do amplificador do Baixo-Ruído DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | SANYO |
| 56317 | 2SC5490 | Frequência ultraelevada planar epitaxial do transistor do silicone de NPN às aplicações do amplificador do Baixo-Ruído da faixa de S | SANYO |
| 56318 | 2SC5497 | Produtos Novos do Rf | TOSHIBA |
| 56319 | 2SC5501 | Vhf planar epitaxial do transistor do silicone de NPN às aplicações wide-Band do amplificador do Baixo-Ruído DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | SANYO |
| 56320 | 2SC5502 | Aplicações Planar Epitaxial Do Amplificador Do Baixo-Ruído Da Elevado-Freqüência Do Transistor Do Silicone de NPN | SANYO |
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