| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 56681 | 2SC6140 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56682 | 2SC6142 | Transistor de potência para aplicações de comutação de alta velocidade | TOSHIBA |
| 56683 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56684 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56685 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56686 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56687 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Hitachi Semiconductor |
| 56688 | 2SC641 | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Hitachi Semiconductor |
| 56689 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Hitachi Semiconductor |
| 56690 | 2SC641K | PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE | Hitachi Semiconductor |
| 56691 | 2SC6465 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLO DE NPN (REGULADOR DE SWITCHING E ALTA TENSÃO QUE COMUTAM APLICAÇÕES DE ALTA VELOCIDADE DO CONVERSOR DE DC-DC) | TOSHIBA |
| 56692 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56693 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56694 | 2SC681 | PODER TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56695 | 2SC681ARD | PODER TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56696 | 2SC681AYL | PODER TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56697 | 2SC697 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 56698 | 2SC697 | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 56699 | 2SC697A | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 56700 | 2SC697A | Planar Epitaxial Do Silicone NPN | TOSHIBA |
| 56701 | 2SC7008 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
| 56702 | 2SC7008 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
| 56703 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DO VHF RF, MISTURADOR, OSCILADOR | Unknow |
| 56704 | 2SC717 | AMPLIFICADOR DO VHF RF, MISTURADOR, OSCILADOR | Unknow |
| 56705 | 2SC730 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56706 | 2SC732TM | TIPO EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR AUDIO DO RUÍDO) | TOSHIBA |
| 56707 | 2SC741 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO TRANSISTOR DE PODER NPN DO RF | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56708 | 2SC752 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT DO TRANSISTOR DE TOSHIBA) | TOSHIBA |
| 56709 | 2SC752(G)TM | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) computador ultra de alta velocidade do PCT das aplicações do switching, aplicações contrárias | TOSHIBA |
| 56710 | 2SC752GTM | Computador Ultra De alta velocidade Das Aplicações DoSwitching, Aplicações Contrárias | TOSHIBA |
| 56711 | 2SC752GTM | Computador Ultra De alta velocidade Das Aplicações DoSwitching, Aplicações Contrárias | TOSHIBA |
| 56712 | 2SC752TM | Computador Ultra De alta velocidade Das Aplicações DoSwitching, Aplicações Contrárias | TOSHIBA |
| 56713 | 2SC752TM | Computador Ultra De alta velocidade Das Aplicações DoSwitching, Aplicações Contrárias | TOSHIBA |
| 56714 | 2SC756A | TRANSISTOR da ESPECIFICAÇÃO, diodos | Unknow |
| 56715 | 2SC756A | TRANSISTOR da ESPECIFICAÇÃO, diodos | Unknow |
| 56716 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56717 | 2SC781 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
| 56718 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56719 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56720 | 2SC799 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Unknow |
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