| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567521 | IRF153 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567522 | IRF153 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567523 | IRF153 | 33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567524 | IRF1607 | 75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567525 | IRF1704 | Poder MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567526 | IRF1704 | Poder MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567527 | IRF1730G | Poder MOSFET(Vdss=400V/ Rds(on)=1.0ohm/ Id=3.7A) | International Rectifier |
| 567528 | IRF1902 | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 567529 | IRF1902TR | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 567530 | IRF200 | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567531 | IRF200 | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567532 | IRF200S100RJ | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567533 | IRF200S100RJ | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567534 | IRF220 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567535 | IRF220 | 4.0A e 5.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.8 e 1.2 ohm | Intersil |
| 567536 | IRF220 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567537 | IRF220 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567538 | IRF220-223 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567539 | IRF2204 | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567540 | IRF2204L | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567541 | IRF2204S | 40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567542 | IRF221 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567543 | IRF221 | 4.0A e 5.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.8 e 1.2 ohm | Intersil |
| 567544 | IRF221 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567545 | IRF221 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567546 | IRF222 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567547 | IRF222 | 4.0A e 5.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.8 e 1.2 ohm | Intersil |
| 567548 | IRF222 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567549 | IRF222 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567550 | IRF223 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567551 | IRF223 | 4.0A e 5.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.8 e 1.2 ohm | Intersil |
| 567552 | IRF223 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567553 | IRF223 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567554 | IRF224 | (IRF225) Transistor de HEXFET | International Rectifier |
| 567555 | IRF230 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 567556 | IRF230 | MOSFET DE ALTA TENSÃO DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567557 | IRF230 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567558 | IRF230 | 8.0A e 9.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.4 e 0.6 ohm | Intersil |
| 567559 | IRF230 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567560 | IRF230 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| | | |
