| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567561 | IRF230-233 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567562 | IRF231 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567563 | IRF231 | 8.0A e 9.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.4 e 0.6 ohm | Intersil |
| 567564 | IRF231 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567565 | IRF231 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| 567566 | IRF232 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567567 | IRF232 | 8.0A e 9.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.4 e 0.6 ohm | Intersil |
| 567568 | IRF232 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567569 | IRF232 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567570 | IRF233 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567571 | IRF233 | 8.0A e 9.0A/ 150V e 200V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.4 e 0.6 ohm | Intersil |
| 567572 | IRF233 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567573 | IRF233 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567574 | IRF234 | 8.1A e 6.5A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.45 e 0.68 ohm | Intersil |
| 567575 | IRF235 | 8.1A e 6.5A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.45 e 0.68 ohm | Intersil |
| 567576 | IRF236 | 8.1A e 6.5A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.45 e 0.68 ohm | Intersil |
| 567577 | IRF237 | 8.1A e 6.5A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.45 e 0.68 ohm | Intersil |
| 567578 | IRF240 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
| 567579 | IRF240 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DE HI.REL | SemeLAB |
| 567580 | IRF240 | MOSFETs/ 18A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567581 | IRF240 | 18A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.180 Ohm | Intersil |
| 567582 | IRF240 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567583 | IRF240-243 | MOSFETs/ 18A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567584 | IRF240SMD | MOSFET DO PODER DE N.CHANNEL | SemeLAB |
| 567585 | IRF241 | MOSFETs/ 18A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567586 | IRF241 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567587 | IRF241 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
| 567588 | IRF241 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567589 | IRF242 | MOSFETs/ 18A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567590 | IRF242 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567591 | IRF242 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567592 | IRF243 | MOSFETs/ 18A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567593 | IRF243 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567594 | IRF243 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
| 567595 | IRF243 | 16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567596 | IRF244 | 14A e 13A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.28 e 0.34 ohm | Intersil |
| 567597 | IRF245 | 14A e 13A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.28 e 0.34 ohm | Intersil |
| 567598 | IRF246 | 14A e 13A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.28 e 0.34 ohm | Intersil |
| 567599 | IRF247 | 14A e 13A/ 275V e 250V/ mOSFETs do poder da N-Canaleta de 0.28 e 0.34 ohm | Intersil |
| 567600 | IRF250 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
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