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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
567601IRF250MOSFET DO PODER DE N-CHANNELSemeLAB
567602IRF25030A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.085 OhmIntersil
567603IRF250MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
567604IRF250N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
567605IRF250SMDMOSFET DO PODER DE N.CHANNELSemeLAB
567606IRF251MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
567607IRF251N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
567608IRF25125A e 30A, 150V e 200V, 0.085 e 0.120 Ohm, N-Channel Power MOSFETsIntersil
567609IRF252MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
567610IRF252N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
567611IRF25225A e 30A, 150V e 200V, 0.085 e 0.120 Ohm, N-Channel Power MOSFETsIntersil
567612IRF253MOSFETS DO PODER DE N-CHANNELSamsung Electronic
567613IRF253N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
567614IRF25325A e 30A, 150V e 200V, 0.085 e 0.120 Ohm, N-Channel Power MOSFETsIntersil
567615IRF280440V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
567616IRF2804L40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
567617IRF2804S40V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567618IRF2804S-7PMOSFET AUTOMOTRIZInternational Rectifier
567619IRF280555V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier



567620IRF2805L55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
567621IRF2805S55V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567622IRF280775V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
567623IRF2807L75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
567624IRF2807PBF75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
567625IRF2807S75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567626IRF2807STRL75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567627IRF2807STRL-11175V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567628IRF2807STRR75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567629IRF2807Z75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
567630IRF2807ZL75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
567631IRF2807ZS75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2PakInternational Rectifier
567632IRF2907S75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567633IRF2907Z75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220ABInternational Rectifier
567634IRF2907ZL75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262International Rectifier
567635IRF2907ZS75V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-PakInternational Rectifier
567636IRF2907ZS-7PPBFIRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567637IRF2907ZS-7PPBFIRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567638IRF30050W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADOetc
567639IRF30050W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADOetc
567640IRF3000300V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8International Rectifier
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