| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568121 | IRF5N4905 | -55V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-1 | International Rectifier |
| 568122 | IRF5N5210 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-2 | International Rectifier |
| 568123 | IRF5NJ3315 | 150V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568124 | IRF5NJ5305 | -55V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568125 | IRF5NJ540 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568126 | IRF5NJ6215 | -150V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568127 | IRF5NJ9540 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568128 | IRF5NJZ34 | 55V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568129 | IRF5NJZ48 | 55V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568130 | IRF5Y1310CM | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568131 | IRF5Y31N20 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568132 | IRF5Y3205CM | 55V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568133 | IRF5Y3315CM | 150V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568134 | IRF5Y3710CM | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568135 | IRF5Y5305CM | -55V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568136 | IRF5Y540CM | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568137 | IRF5Y6215CM | -150V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568138 | IRF5Y9540CM | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568139 | IRF5YZ48CM | 55V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-257AA | International Rectifier |
| 568140 | IRF610 | 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568141 | IRF610 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568142 | IRF610 | 3.3A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
| 568143 | IRF610 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568144 | IRF610-613 | MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568145 | IRF6100 | -20V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568146 | IRF6100TR | -20V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de 4-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568147 | IRF610B | Mosfet Da N-Canaleta 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568148 | IRF610B_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF610 & de IRF610A | Fairchild Semiconductor |
| 568149 | IRF610PBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568150 | IRF610S | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568151 | IRF610STRL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568152 | IRF610STRR | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568153 | IRF611 | MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568154 | IRF611 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568155 | IRF612 | MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568156 | IRF612 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568157 | IRF613 | MOSFETs/ 3.5A/ 150-200V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568158 | IRF613 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568159 | IRF614 | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568160 | IRF614 | 2.0A/ 250V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 2.0 Ohms | Intersil |
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