| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568241 | IRF630SPBF | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568242 | IRF630ST4 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE TO-220/TO220-FP | ST Microelectronics |
| 568243 | IRF630STRL | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568244 | IRF630STRR | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568245 | IRF631 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568246 | IRF631 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| 568247 | IRF632 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568248 | IRF632 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 200V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568249 | IRF633 | MOSFETs/ 12A/ 150-200 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568250 | IRF633 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 150V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568251 | IRF634 | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 8A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 250V 0.38 | ST Microelectronics |
| 568252 | IRF634 | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568253 | IRF634 | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 8A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 250V 0.38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568254 | IRF634 | Mosfet Avançado Do Poder | Fairchild Semiconductor |
| 568255 | IRF634A | Mosfet Avançado Do Poder | Fairchild Semiconductor |
| 568256 | IRF634B | Mosfet Da N-Canaleta 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568257 | IRF634B_FP001 | 250V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF634 & de IRF634A | Fairchild Semiconductor |
| 568258 | IRF634FP | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 8A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 250V 0.38 | ST Microelectronics |
| 568259 | IRF634FP | MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DO OHM 8A TO-220/TO-220FP DE N-CHANNEL 250V 0.38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568260 | IRF634N | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568261 | IRF634NL | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568262 | IRF634NS | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568263 | IRF634PBF | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568264 | IRF634S | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568265 | IRF634STRL | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568266 | IRF634STRR | 250V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568267 | IRF640 | transistor de TrenchMOS(tm) da N-canaleta | Philips |
| 568268 | IRF640 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, MOSFETs Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568269 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE 18A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
| 568270 | IRF640 | 200V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568271 | IRF640 | N - CANALETA 200V - 0.150Ohm - Mosfet Da FOLHA DE PROVA Do ENGRANZAMENTO De 18A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568272 | IRF640 | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE 18A TO-220/TO-220FP | SGS Thomson Microelectronics |
| 568273 | IRF640 | OBSOLETO - Poder de Efeito de Campo Transistor | ON Semiconductor |
| 568274 | IRF640 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568275 | IRF640-D | Porta De Silicone Da Realce-Modalidade Da N-Canaleta Do Transistor De Efeito De Campo Do Poder | ON Semiconductor |
| 568276 | IRF640A | Mosfet Avançado Do Poder | Fairchild Semiconductor |
| 568277 | IRF640B | Mosfet Da N-Canaleta 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568278 | IRF640BTSTU_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF640 & de IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568279 | IRF640B_FP001 | 200V N-Canaleta B-FET/substituto de IRF640 & de IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568280 | IRF640FP | N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - MOSFET DA FOLHA DE PROVA DO ENGRANZAMENTO DE 18A TO-220/TO-220FP | ST Microelectronics |
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