| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568841 | IRF820S | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | Porta De Silicone TMOS Da Realce-Modalidade de N-CHANNEL | Motorola |
| 568845 | IRF821 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | N-canal MOSFET, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | N-canal MOSFET, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-channel modo de aumento de potência MOS transistor, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | PODER MOSTRANSISTORS Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De N | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | PODER MOSTRANSISTORS Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De N | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-channel modo de aumento de potência MOS transistor, 500V, 1.9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | Porta De Silicone TMOS Da Realce-Modalidade de N-CHANNEL | Motorola |
| 568858 | IRF823 | MOSFETs/ 3.0 A 450 V/500 V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | N-canal MOSFET, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | N-canal MOSFET, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | PODER MOSTRANSISTORS Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De N | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | PODER MOSTRANSISTORS Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA De N | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-CHANNEL 500V - 1.35 OHM - 4.5A - MOSFET DE TO-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | MOSFET DO PODER | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | N - CANALETA 500V - 1.35W - 4.5A - Mosfet de TO-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | Energia do avalanche do transistor de PowerMOS avaliada | Philips |
| 568871 | IRF830 | 4.5A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
| 568872 | IRF830 | MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Poder de Efeito de Campo Transistor | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, potência transistor de efeito de campo | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Porta De Silicone TMOS Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta Do Transistor De Efeito De Campo Do Poder | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
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