| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 58961 | 2SJ0536 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs do MOS | Panasonic |
| 58962 | 2SJ0536G | Silicon P-canal MOSFET | Panasonic |
| 58963 | 2SJ0582 | Dispositivo De Poder - FETs do MOS Do Poder | Panasonic |
| 58964 | 2SJ0672 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs do MOS | Panasonic |
| 58965 | 2SJ0674 | Silicon P-channel MOS FET | Panasonic |
| 58966 | 2SJ0674G | Silicon P-channel MOS FET | Panasonic |
| 58967 | 2SJ0675 | Silicon P-canal MOSFET | Panasonic |
| 58968 | 2SJ103 | Tipo da junção da canaleta do silicone P do transistor de efeito de campo para o amplificador audio, o interruptor análogo, a corrente constante e as aplicações do conversor do impedance | TOSHIBA |
| 58969 | 2SJ104 | Tipo da junção da canaleta do silicone P do transistor de efeito de campo para o amplificador audio, o interruptor análogo, a corrente constante e as aplicações do conversor do impedance | TOSHIBA |
| 58970 | 2SJ105 | Tipo da junção da canaleta do silicone P do transistor de efeito de campo para o amplificador audio, o interruptor análogo, a corrente constante e as aplicações do conversor do impedance | TOSHIBA |
| 58971 | 2SJ106 | Tipo Das Aplicações Análogas Do Interruptor Das Aplicações Do Amplificador Da Freqüência Audio Aplicações Atuais Constantes Da Junção Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Conversor Do Impedance Das Apl | TOSHIBA |
| 58972 | 2SJ107 | Tipo da junção da canaleta do silicone P do transistor de efeito de campo para o amplificador audio, o interruptor análogo, a corrente constante e as aplicações do conversor do impedance | TOSHIBA |
| 58973 | 2SJ108 | Tipo Aplicações Baixas Da Junção Da Canaleta Do Silicone P Do Transistor De Efeito De Campo Do Amplificador Audio Do Ruído | TOSHIBA |
| 58974 | 2SJ109 | TIPO Da JUNÇÃO De P CAHNNEL (APLICAÇÕES BAIXAS Do AMPLIFICADOR DIFERENCIAL De AMPLIFICADOR AUDIO Do RUÍDO) | TOSHIBA |
| 58975 | 2SJ113 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58976 | 2SJ113 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58977 | 2SJ115 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58978 | 2SJ115 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58979 | 2SJ116 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58980 | 2SJ116 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Hitachi Semiconductor |
| 58981 | 2SJ117 | Fet do MOS Da P-Canaleta Do Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58982 | 2SJ118 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58983 | 2SJ118 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58984 | 2SJ119 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58985 | 2SJ119 | FET DO MOS DO SILICONE P-CHANNEL | Unknow |
| 58986 | 2SJ125 | 150mW SMD J-FET (Field-Effect Transistor), classificação máxima: 50V Vgdo, -10mA Ig, -1 a -12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 58987 | 2SJ128 | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
| 58988 | 2SJ128-Z | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
| 58989 | 2SJ130 | Fet do MOS Da P-Canaleta Do Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58990 | 2SJ130(L) | Switching Power MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58991 | 2SJ130(L)/(S) | Fet do MOS Da P-Canaleta Do Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58992 | 2SJ130(S) | Switching Power MOSFET | Hitachi Semiconductor |
| 58993 | 2SJ130L | Fet do MOS Da P-Canaleta Do Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58994 | 2SJ130L | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58995 | 2SJ130S | Fet do MOS Da P-Canaleta Do Silicone | Hitachi Semiconductor |
| 58996 | 2SJ130S | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 58997 | 2SJ132 | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
| 58998 | 2SJ132-Z | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
| 58999 | 2SJ133 | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
| 59000 | 2SJ133-Z | Transistor de poder do efeito do campo elétrico do MOS | NEC |
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