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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
598761K4D553238F-JC2A256MBIT GDDR SDRAMSamsung Electronic
598762K4D553238F-JC33256MBIT GDDR SDRAMSamsung Electronic
598763K4D553238F-JC36256MBIT GDDR SDRAMSamsung Electronic
598764K4D553238F-JC40256MBIT GDDR SDRAMSamsung Electronic
598765K4D553238F-JC50256MBIT GDDR SDRAMSamsung Electronic
598766K4D623237512K x 32Bit x 4 bancos dobram a folha de dados synchronous do DRAM da taxa de dadosSamsung Electronic
598767K4D623238B-G(Q)C512K x 32Bit x 4 bancos dobram dados estendidos da RAM da taxa de dados wi synchronous para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598768K4D623238B-GC64MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598769K4D623238B-GC/L3364MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598770K4D623238B-GC/L4064MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598771K4D623238B-GC/L4564MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598772K4D623238B-GC/L5064MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598773K4D623238B-GC/L5564MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598774K4D623238B-GC/L6064MBIT DDR SDRAMSamsung Electronic
598775K4D64163HFo 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic
598776K4D64163HF-TC33o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic
598777K4D64163HF-TC36o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic
598778K4D64163HF-TC40o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic
598779K4D64163HF-TC50o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic



598780K4D64163HF-TC60o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dadosSamsung Electronic
598781K4E151611RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598782K4E151611DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598783K4E151611D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598784K4E151611D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598785K4E151612DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598786K4E151612D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598787K4E151612D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598788K4E16(7)0411(2)DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598789K4E16(7)0811(2)DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598790K4E160411DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598791K4E160411D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598792K4E160411D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598793K4E160412DRAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598794K4E160412D-B4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598795K4E160412D-F4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598796K4E160811DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598797K4E160811D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598798K4E160811D-F2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598799K4E160812DRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598800K4E160812D-B2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização.Samsung Electronic
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