Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
598841 | K4E640812C-JCL-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
598842 | K4E640812C-JCL-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
598843 | K4E640812C-TC-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
598844 | K4E640812C-TC-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
598845 | K4E640812C-TC-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
598846 | K4E640812C-TCL-45 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45ns | Samsung Electronic |
598847 | K4E640812C-TCL-5 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50ns | Samsung Electronic |
598848 | K4E640812C-TCL-6 | RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60ns | Samsung Electronic |
598849 | K4E640812E | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598850 | K4E640812E-JC/L | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598851 | K4E640812E-TC/L | RAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598852 | K4E641612B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598853 | K4E641612B-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598854 | K4E641612B-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598855 | K4E641612B-TC45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
598856 | K4E641612B-TC50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598857 | K4E641612B-TC60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598858 | K4E641612B-TL45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598859 | K4E641612B-TL50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598860 | K4E641612B-TL60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598861 | K4E641612C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598862 | K4E641612C-45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598863 | K4E641612C-50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598864 | K4E641612C-60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598865 | K4E641612C-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598866 | K4E641612C-T | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598867 | K4E641612C-T45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598868 | K4E641612C-T50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598869 | K4E641612C-T60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598870 | K4E641612C-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598871 | K4E641612C-TC45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598872 | K4E641612C-TC50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598873 | K4E641612C-TC60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598874 | K4E641612C-TL45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598875 | K4E641612C-TL50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598876 | K4E641612C-TL60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598877 | K4E641612D | DRAM DO CMOS | Samsung Electronic |
598878 | K4E660411D, K4E640411D | RAM dinâmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
598879 | K4E660412D | RAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598880 | K4E660412D, K4E640412D | RAM dinâmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
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