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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
598841K4E640812C-JCL-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
598842K4E640812C-JCL-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
598843K4E640812C-TC-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
598844K4E640812C-TC-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
598845K4E640812C-TC-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
598846K4E640812C-TCL-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 45nsSamsung Electronic
598847K4E640812C-TCL-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 50nsSamsung Electronic
598848K4E640812C-TCL-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 60nsSamsung Electronic
598849K4E640812ERAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598850K4E640812E-JC/LRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598851K4E640812E-TC/LRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598852K4E641612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598853K4E641612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598854K4E641612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598855K4E641612B-TC45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
598856K4E641612B-TC50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598857K4E641612B-TC60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598858K4E641612B-TL45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
598859K4E641612B-TL50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic



598860K4E641612B-TL60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
598861K4E641612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598862K4E641612C-45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598863K4E641612C-50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598864K4E641612C-60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598865K4E641612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598866K4E641612C-TRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598867K4E641612C-T45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598868K4E641612C-T50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598869K4E641612C-T60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598870K4E641612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598871K4E641612C-TC45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598872K4E641612C-TC50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598873K4E641612C-TC60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598874K4E641612C-TL45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598875K4E641612C-TL50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598876K4E641612C-TL60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598877K4E641612DDRAM DO CMOSSamsung Electronic
598878K4E660411D, K4E640411DRAM dinâmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598879K4E660412DRAM dinâmica de 16M x 4bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598880K4E660412D, K4E640412DRAM dinâmica de 16MB x de 4bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
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