Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
598921 | K4E661612B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598922 | K4E661612B-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598923 | K4E661612B-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598924 | K4E661612B-TC45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
598925 | K4E661612B-TC50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598926 | K4E661612B-TC60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598927 | K4E661612B-TL45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598928 | K4E661612B-TL50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598929 | K4E661612B-TL60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
598930 | K4E661612C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598931 | K4E661612C-45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598932 | K4E661612C-50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598933 | K4E661612C-60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598934 | K4E661612C-L | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598935 | K4E661612C-L45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598936 | K4E661612C-L50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598937 | K4E661612C-L60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598938 | K4E661612C-T | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598939 | K4E661612C-T45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598940 | K4E661612C-T50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598941 | K4E661612C-T60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598942 | K4E661612C-TC | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598943 | K4E661612C-TC45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598944 | K4E661612C-TC50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598945 | K4E661612C-TC60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598946 | K4E661612C-TL45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598947 | K4E661612C-TL50 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598948 | K4E661612C-TL60 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
598949 | K4E661612D | DRAM DO CMOS | Samsung Electronic |
598950 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
598951 | K4E661612D, K4E641612D | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
598952 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
598953 | K4E661612E, K4E641612E | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
598954 | K4EB-110V-1 | K-relay. Exclusivamente concebido relé. 4 forma de tensão C. bobina 110 V DC. Plug-in e solda. Relé sensível comum. Âmbar tipo selado. | Matsushita Electric Works(Nais) |
598955 | K4EBP-110V-1 | K-relay. Exclusivamente concebido relé. 4 forma de tensão C. bobina 110 V DC. Terminal da placa de PC. Relé sensível comum. Âmbar tipo selado. | Matsushita Electric Works(Nais) |
598956 | K4F151611 | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
598957 | K4F151611D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
598958 | K4F151611D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
598959 | K4F151611D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
598960 | K4F151612D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
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