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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
598921K4E661612BRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598922K4E661612B-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598923K4E661612B-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598924K4E661612B-TC45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45nsSamsung Electronic
598925K4E661612B-TC50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598926K4E661612B-TC60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598927K4E661612B-TL45RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
598928K4E661612B-TL50RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
598929K4E661612B-TL60RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energiaSamsung Electronic
598930K4E661612CRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598931K4E661612C-45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598932K4E661612C-50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598933K4E661612C-60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598934K4E661612C-LRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598935K4E661612C-L45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598936K4E661612C-L50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598937K4E661612C-L60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598938K4E661612C-TRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598939K4E661612C-T45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic



598940K4E661612C-T50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598941K4E661612C-T60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598942K4E661612C-TCRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598943K4E661612C-TC45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598944K4E661612C-TC50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598945K4E661612C-TC60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598946K4E661612C-TL45RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598947K4E661612C-TL50RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598948K4E661612C-TL60RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
598949K4E661612DDRAM DO CMOSSamsung Electronic
598950K4E661612D, K4E641612DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598951K4E661612D, K4E641612DRAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598952K4E661612E, K4E641612ERAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598953K4E661612E, K4E641612ERAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dadosSamsung Electronic
598954K4EB-110V-1K-relay. Exclusivamente concebido relé. 4 forma de tensão C. bobina 110 V DC. Plug-in e solda. Relé sensível comum. Âmbar tipo selado.Matsushita Electric Works(Nais)
598955K4EBP-110V-1K-relay. Exclusivamente concebido relé. 4 forma de tensão C. bobina 110 V DC. Terminal da placa de PC. Relé sensível comum. Âmbar tipo selado.Matsushita Electric Works(Nais)
598956K4F151611RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598957K4F151611DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
598958K4F151611D-J1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598959K4F151611D-T1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com o modo de página rapidamente. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização.Samsung Electronic
598960K4F151612DRAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
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